[发明专利]用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)提供具有主表面的半导体衬底；

(b)在所述半导体衬底的所述主表面的第一区域和第二区域中的每个区域中形成第一掩膜；

(c)在所述第一区域和所述第二区域中的每个区域中的所述第一掩膜的侧壁之上形成第二掩膜；

(d)去除所述第二区域中的所述第二掩膜而保留所述第一区域中的所述第二掩膜；

(e)不仅经由所述第一区域中的所述第二掩膜在所述第一掩膜的侧壁之上形成第三掩膜，而且直接在所述第二区域中的所述第一掩膜的侧壁上形成所述第三掩膜；

(f)在去除所述第一掩膜之后，通过对位于所述第二掩膜和所述第三掩膜以外的所述半导体衬底的部分的刻蚀来在所述第一区域中提供第一凸部，以形成在所述第二掩膜和所述第三掩膜之下的第一凸部，所述第一凸部具有第一宽度，而通过对位于所述第三掩膜以外的所述半导体衬底的部分的刻蚀来在所述第二区域中提供第二凸部，以形成在所述第三掩膜之下的第二凸部，所述第二凸部具有第二宽度；

(g)在所述第一区域中经由第一绝缘膜形成第一栅电极以跨越所述第一凸部；以及

(h)在所述第二区域中经由第二绝缘膜形成第二栅电极以跨越所述第二凸部，

其中所述第二宽度比所述第一宽度窄。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，

其中通过热氧化所述第一凸部来形成所述第一绝缘膜，

其中通过热氧化所述第二凸部来形成所述第二绝缘膜，以及

其中所述第一绝缘膜的厚度比所述第二绝缘膜的厚度大。

3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(i)在步骤(f)和步骤(g)之间，形成由绝缘膜制成的元件隔离膜以覆盖在所述第一凸部和所述第二凸部的相应下部处的、所述第一凸部和所述第二凸部中的每个凸部的外围。

4.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在步骤(g)中，所述第一绝缘膜包括形成在所述第一凸部的表面处的氧化硅膜和形成在所述氧化硅膜之上的氮化硅膜。

5.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，

其中，在步骤(f)中，各向异性刻蚀被用作所述半导体衬底的刻蚀。