[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一第一半导体元件；

至少一传导件，位于该第一半导体元件上；

一第二半导体元件，位于该第一半导体元件上；

一封装件，位于该第一半导体元件上，以及该封装件环绕该第二半导体元件与该至少一传导件；以及

一重布线层，位于该第二半导体元件与该至少一传导件上。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二半导体元件位于该第一半导体元件上，该第二半导体元件与该第一半导体元件之间实质上无使用一电路基板。

3.如权利要求2所述的半导体结构，还包括一第三半导体元件，位于该第一半导体元件上，该第一半导体元件与该第三半导体元件之间实质上无使用一电路基板。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该至少一传导件位于该第一半导体元件上，该至少一传导件与该第一半导体元件之间实质上无使用焊接材料。

5.如权利要求1所述的半导体结构，还包括至少一传导接合，位于该重布线层上。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一半导体元件为一存储器元件。

7.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一第三半导体元件，位于该第一半导体元件上，其中该第二半导体元件为一逻辑元件，以及该第三半导体元件为一存储器元件。

8.如权利要求1所述的半导体结构，包括一散热路径，位于该第一半导体元件与该第二半导体元件之间。

9.如权利要求8所述的半导体结构，还包括一第三半导体元件，位于该第一半导体元件上；以及一散热路径，位于该第一半导体元件与该第三半导体元件之间。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二半导体元件与该第一半导体元件的热阻小于该第二半导体元件与该重布线层的热阻。

11.如权利要求10所述的半导体结构，还包括一第三半导体元件，位于该第一半导体元件上，其中该第三半导体元件与该第一半导体元件之间的热阻小于该第三半导体元件与该重布线层之间的热阻。

12.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一第三半导体元件，位于该第一半导体元件上，其中该第二半导体元件与该第三半导体元件经由一粘着剂而设置于该第一半导体元件上。

13.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一第一半导体元件；

形成至少一传导件于该第一半导体元件上；

附接一第二半导体元件于该第一半导体元件上；

形成一封装件于该第一半导体元件上，其中该封装件环绕该第二半导体元件与该至少一传导件；以及

形成一重布线层于该第二半导体元件与该至少一传导件上。

14.如权利要求13所述的制造方法，其中附接该第二半导体元件至该第一半导体元件的制程，该第二半导体元件与该第一半导体元件之间实质上无使用一电路基板。

15.如权利要求13所述的制造方法，还包括：附接一第三半导体元件至该第一半导体元件的制程，该第三半导体元件与该第一半导体元件之间实质上无使用一电路基板。

16.如权利要求13所述的制造方法，其中附接该至少一传导件至该第一半导体元件的制程，该至少一传导件与该第一半导体元件之间实质上无使用焊接材料。

17.如权利要求13所述的制造方法，还包括形成至少一传导接合于该重布线层上。