[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含：一第一半导体元件；至少一传导件，位于该第一半导体元件上；一第二半导体元件，位于该第一半导体元件上；一封装件，位于该第一半导体元件上；以及一重布线层(RDL)，位于该第二半导体元件与该至少一传导件上。该封装件环绕该第二半导体元件与该至少一传导件，且该封装件并未延伸至该第一半导体元件与该第二半导体元件之间的界面。

技术领域

本公开涉及一种半导体结构及其制造方法，特别关于一种晶圆级芯片上覆置芯片半导体结构以及制造方法。

背景技术

半导体元件对于许多现代应用而言是重要的。随着电子技术的进展，半导体元件的尺寸越来越小，而功能越来越大且整合的电路量越来越多。由于半导体元件的规模微小化，芯片上覆置芯片(chip-on-chip)技术目前广泛用于制造半导体元件。在此半导体封装的生产中，实施了许多制造步骤。

然而，微型化规模的半导体元件的制造变得越来越复杂。制造半导体元件的复杂度增加可能造成缺陷，例如电互连不良、产生裂纹、或是组件脱层。因此，半导体元件的结构与制造的修饰有许多挑战。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本揭露的标的，不构成本揭露之先前技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本申请的任一部分。

发明内容

本公开的实施例提供一种半导体结构，包括：一第一半导体元件；至少一传导件，位于该第一半导体元件上；一第二半导体元件，位于该第一半导体元件上；一封装件，位于该第一半导体元件上，其中该封装件环绕该第二半导体元件与该至少一传导件；以及一重布线层(redistribution layer，RDL)，位于该第二半导体元件与该至少一传导件上。

在本公开的一些实施例中，该第二半导体元件位于该第一半导体元件上，该第二半导体元件与该第一半导体元件之间实质上无使用一电路基板。

在本公开的一些实施例中，该半导体结构还包括一第三半导体元件位于该第一半导体元件上，该第一半导体元件与该第三半导体元件之间实质上无使用一电路基板。

在本公开的一些实施例中，该至少一传导件位于该第一半导体元件上，该至少一传导件与该第一半导体元件之间实质上无使用焊接材料。

在本公开的一些实施例中，该半导体结构还包括至少一传导接合，位于该重布线层上。

在本公开的一些实施例中，该第一半导体元件为一存储器元件。

在本公开的一些实施例中，该第二半导体元件为一逻辑元件，该第三半导体元件为一存储器元件。

在本公开的一些实施例中，该半导体结构包括一散热路径，位于该第一半导体元件与该第二半导体元件之间。

在本公开的一些实施例中，该半导体结构包括一散热路径，位于该第一半导体元件与该第三半导体元件之间。

在本公开的一些实施例中，该第二半导体元件与该第一半导体元件的热阻小于该第二半导体元件与该重布线层的热阻。

在本公开的一些实施例中，该第三半导体元件与该第一半导体元件之间的热阻小于该第三半导体元件与该重布线层之间的热阻。

在本公开的一些实施例中，该第二半导体元件与该第三半导体元件经由一粘着剂而设置于该第一半导体元件上。

在本公开的一些实施例中，该封装件未延伸至该第一半导体元件与该第二半导体元件之间的界面；相似地，该封装件未延伸至该第一半导体元件与该第三半导体元件之间的界面。