[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

多个基板处理部，其进行产生包含附着成分的气氛的基板处理；

分别设置在所述多个基板处理部的、用于对该基板处理部中的基板的气氛进行排气的独立排气通路；

汇合各个所述独立排气通路，并且通过排气能力设备排气的共用排气通路；

设置在各个所述独立排气通路的、用于测定所述独立排气通路的排气压力的第一压力测定部；

设置在所述共用排气通路的、用于测定该共用排气通路的排气压力的第二压力测定部；

异常检测部，其基于所述第一压力测定部的测定值与第一容许压力范围的比较结果和所述第二压力测定部的测定值与第二容许压力范围的比较结果，来检测独立排气通路中的异常；和

排气量调整部，其设置在所述独立排气通路中的、比第一压力测定部的测定位置靠共用排气通路一侧，在对基板进行规定的处理时的强排气模式与以比该强排气模式时的排气量少的排气量进行排气的弱排气模式之间进行切换，

所述第一容许压力范围是分别与所述强排气模式和弱排气模式对应地设定的。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述异常检测部构成为，当所述第一压力测定部的测定值比第一容许压力范围的上限高且所述第二压力测定部的测定值落在第二容许压力范围内时，判断为设置有该第一压力测定部的独立排气通路发生了堵塞。

3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：

所述异常检测部构成为，当所述第一压力测定部的测定值比第一容许压力范围的下限低且所述第二压力测定部的测定值落在第二容许压力范围内时，判断为设置有该第一压力测定部的独立排气通路发生了泄漏。

4.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：

所述异常检测部构成为，当所述第二压力测定部的测定值比第二容许压力范围的上限高时，判断为排气能力设备的能力增加，并且所述第二压力测定部的测定值比第二容许压力范围的下限低时，判断为排气能力设备的能力减少。

5.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：

所述基板处理部包括：将基板保持为水平的基板保持部；使基板保持部绕铅垂轴旋转的旋转机构；和包围保持于基板保持部的基板的周围，经由所述独立排气通路对内部的气氛排气的杯体，

所述基板处理为在对基板供给了涂敷液的状态下使基板旋转的涂敷处理。

6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于：

所述涂敷液为用于在基板形成抗蚀剂膜的抗蚀剂液。

7.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：

所述排气量调整部为调节风门，

依照所述调节风门的状态，能够选择与所述强排气模式对应的第一容许压力范围和与所述弱排气模式对应的第一容许压力范围的一者。

8.一种基板处理方法，其特征在于，包括：

由基板处理部进行产生包含附着成分的气氛的基板处理的步骤；

由独立排气通路和共用排气通路对基板处理部的气氛进行排气的步骤，其中，所述独立排气通路分别设置在多个 所述基板处理部，用于对该基板处理部中的基板的气氛进行排气，所述共用排气通路汇合各个所述独立排气通路，并且通过排气能力设备进行排气；

由分别设置在所述独立排气通路的第一压力测定部测定所述独立排气通路的排气压力的步骤；

由设置在所述共用排气通路的第二压力测定部测定在共用排气通路流通的排气的排气压力的步骤；和

基于各个第一压力测定部的测定值与第一容许压力范围的比较结果和第二压力测定部的测定值与第二容许压力范围的比较结果，检测独立排气通路中的异常的步骤，

用设置在所述独立排气通路中的、比第一压力测定部的测定位置靠共用排气通路一侧排气量调整部，在对基板进行规定的处理时的强排气模式与以比该强排气模式时的排气量少的排气量进行排气的弱排气模式之间进行切换，

所述第一容许压力范围是分别与所述强排气模式和弱排气模式对应地设定的。