[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

本发明提供一种在通过共用的排气通路对产生包含附着成分的气氛的多个基板处理部的气氛进行排气时，能够可靠地检测每个基板处理部的独立排气通路的异常的技术。在利用排气能力设备通过共用排气通路(60)对在晶片(W)进行抗蚀剂涂敷的多个抗蚀剂涂敷单元(10A～10D)排气时，测定每个抗蚀剂涂敷单元(10A～10D)的独立排气管(50A～50D)的排气压力与共用排气通路(60)的排气压力，比较各测定值与对应的容许压力范围。因此，能够可靠地检测出独立排气管(50A～50D)中的附着物的堵塞等的异常。

技术领域

本发明涉及在基板处理中对基板的气氛进行排气的技术。

背景技术

在作为半导体制造工序之一的蚀刻工序中，进行在半导体晶片(以下称为“晶片”)的表面涂敷抗蚀剂等的各涂敷液的涂敷处理。例如抗蚀剂涂敷装置使用以包围作为基板的保持部的旋转卡盘的周围的方式设置有杯体的杯体组件，对旋转卡盘上的晶片滴下抗蚀剂液等的涂敷液，使晶片旋转，从而在其整个面形成涂敷膜。这时，从晶片甩落的抗蚀剂液与杯体的壁面碰撞时，抗蚀剂液变成细小的颗粒(雾)，雾附着于晶片而造成污染。因此，在杯体连接有排气管，进行对晶片的周围的气氛的排气，抑制由雾造成的污染。并且，例如将分别与多个杯体连接的独立排气管连接到成为汇聚管的共用排气通路，通过工厂能力对共用排气通路进行排气，由此进行各杯体的排气。

但是，当杯体的排气流量减少时，雾没有被充分地排气而有可能附着在晶片。因此优选对与杯体连接的独立排气管的排气流量进行监视，在独立排气管设置流量计是比较困难的，在独立排气管设置压力测定部来测定排气压力，由此间接地监视排气流量。例如，当排气压力的测定值上升时，利用设置在独立排气管的排气调节风门减小排气通路的阻抗，使排气流量稳定。

但是，独立排气管的排气压力不仅因工厂能力的增减而变动，而且因雾附着于每个杯体组件的独立排气通路(杯内或者独立排气管)导致的堵塞等而发生变动。因此，当在杯体内发生了堵塞时，排气压力的测定值与工厂能力增加的情况同样地变高，而排气调节风门向减小排气通路的阻抗的方向作用，导致排气流量的不足，担心不能充分地实现防止基板的污染。

专利文献1中记载有，测定分别设置在多个加热装置的独立排气管的压力，并且在独立排气管汇合的主排气管设置压力计的构成，检测加热装置的排气系统的异常的技术。但是，关于区别加热装置中的排气的异常的要因的方法没有记载。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-260680号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

本发明鉴于上述的情况而完成，其目的在于提供在通过共用的排气通路对产生包含附着成分的气氛的多个基板处理部的气氛进行排气时，能够可靠地检测每个基板处理部的独立排气通路的异常的技术。

本发明的基板处理装置的特征在于，包括：多个基板处理部，其进行产生包含附着成分的气氛的基板处理；分别设置在上述多个基板处理部的、用于对该基板处理部中的基板的气氛进行排气的独立排气通路；汇合各个上述独立排气通路，并且通过排气能力设备排气的共用排气通路；设置在各个上述独立排气通路的、用于测定上述独立排气通路的排气压力的第一压力测定部；设置在上述共用排气通路的、用于测定该共用排气通路的排气压力的第二压力测定部；和基于上述第一压力测定部的测定值与第一容许压力范围的比较结果和上述第二压力测定部的测定值与第二容许压力范围的比较结果，检测独立排气通路中的异常的异常检测部。