[发明专利]基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，通过高频的能量从气体生成等离子体，通过所生成的等离子体中的自由基在处理容器的内部对基板进行蚀刻处理，

所述基板处理装置具有：

高频电源，其向所述处理容器的内部供给高频的能量；

气体供给源，其向所述处理容器的内部导入气体；

载置台，其载置所述基板；以及

分隔板，其设置在所述处理容器的内部，将所述处理容器的内部分隔为等离子体生成空间和基板处理空间，该分隔板抑制离子的穿过，

其中，所述分隔板以及所述处理容器的内壁表面中的至少比所述载置台靠上的部分的整面被再结合系数为0.002以下的电介质覆盖，

从载置于所述载置台的基板的外缘部到所述处理容器的内壁的距离为10mm以上，

高频的能量从所述处理容器的顶部的外壁侧设置的天线室穿过所述顶部的电介质窗而供给到所述等离子体生成空间，以使得与所述处理容器的径向内侧相比径向外侧的等离子体的体积或密度大。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述处理容器的内壁表面的整面被所述再结合系数为0.0005以下的电介质覆盖。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述电介质为硅氧化物、氮化硅、碳化硅、氧化铝陶瓷或蓝宝石中的任意一种。

4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述电介质为石英。

5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

覆盖所述处理容器的内壁表面的电介质为能够更换的内衬构件。

6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述气体供给源将气体仅导入到所述等离子体生成空间和所述基板处理空间中的所述等离子体生成空间、或者将气体导入到所述等离子体生成空间和所述基板处理空间这两方。

7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述处理容器的顶部的内壁面是平坦的。