[发明专利]基板处理装置

说明书

提供一种基板处理装置。本发明的目的是抑制自由基的失活、实现蚀刻的均匀性。本发明提供一种基板处理装置，其通过高频的能量从气体生成等离子体，通过所生成的等离子体中的自由基在处理容器的内部对基板进行蚀刻处理，所述基板处理装置具有：高频电源，其向所述处理容器的内部供给高频的能量；气体供给源，其向所述处理容器的内部导入气体；载置台，其载置所述基板；以及分隔板，其设置在所述处理容器的内部，将所述处理容器的内部分隔为等离子体生成空间和基板处理空间，该分隔板抑制离子的穿过，其中，所述分隔板以及所述处理容器的内壁表面中的至少比所述载置台靠上的部分被再结合系数为0.002以下的电介质覆盖。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置。

背景技术

提出了一种主要通过等离子体中的自由基对处理容器内的半导体晶圆(以下称作“晶圆”。)进行蚀刻处理的方法(例如参照专利文献1)。在主要通过自由基来蚀刻晶圆的情况下，想要抑制等离子体中的离子作用于晶圆。因此，在处理容器的内部配置将等离子体生成空间和基板处理空间分隔的分隔板。通过分隔板能够抑制等离子体中的离子从等离子体生成空间穿过到基板处理空间。

另一方面，等离子体中的自由基穿过分隔板向基板处理空间移动，有助于晶圆的蚀刻。由此，能够在抑制离子到达晶圆表面的同时利用自由基进行蚀刻处理。此时，通过使自由基不失活地到达晶圆表面，能够提高蚀刻率，从而促进蚀刻处理。此外，自由基的失活是指自由基容易失去活性。

专利文献1：国际公开第2013/175897号小册子

发明内容

发明要解决的问题

然而，当自由基在扩散时吸附于处理容器的内壁表面、处理容器内的构件时，自由基失活。尤其是，当载置于处理容器的晶圆与处理容器的内壁之间的距离近时，自由基容易吸附于处理容器的内壁，从而失活的自由基增加。由此，相比于晶圆的内周侧的蚀刻率，晶圆的外周侧的蚀刻率下降，蚀刻的面内均匀性变差。

针对上述问题，在一个方面中，本发明的目的是抑制自由基的失活，实现蚀刻的均匀性。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，根据一个方式，提供一种基板处理装置，其通过高频的能量从气体生成等离子体，通过所生成的等离子体中的自由基在处理容器的内部对基板进行蚀刻处理，所述基板处理装置具有：高频电源，其向所述处理容器的内部供给高频的能量；气体供给源，其向所述处理容器的内部导入气体；载置台，其载置所述基板；以及分隔板，其设置在所述处理容器的内部，将所述处理容器的内部分隔为等离子体生成空间和基板处理空间，该分隔板抑制离子的穿过，其中，所述分隔板和所述处理容器的内壁表面中的至少比所述载置台靠上的部分被再结合系数为0.002以下的电介质覆盖。

发明的效果

根据一个方面，能够抑制自由基的失活，实现蚀刻的均匀性。

附图说明

图1是表示具有一个实施方式所涉及的自由基处理装置的基板处理系统的一例的图。

图2是表示一个实施方式所涉及的自由基处理装置的纵截面图的一例的图。

图3是表示自由基的表面再结合概率的图。

图4是表示自由基的表面再结合概率的图。

图5是表示使用一个实施方式所涉及的自由基处理装置得到的蚀刻结果和比较例的蚀刻结果的一例的图。

附图标记说明