[发明专利]清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及介质

权利要求书

1.一种清洁方法，其为对进行了在衬底上形成膜的处理后的处理室内进行清洁的方法，包括：

向加热至第一温度的所述处理室内供给包含氢和氟的气体的工序；

使所述处理室内的温度升温至比所述第一温度高的第二温度的工序；和

向加热至所述第二温度的所述处理室内供给包含氟的气体的工序，

其中，所述第一温度设为所述包含氟的气体不发生活化的温度，所述第二温度设为所述包含氟的气体发生活化的温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述供给包含氢和氟的气体的工序中，除去附着在炉口部的堆积物，所述炉口部形成于在内部构成所述处理室的处理容器的下部，

在所述供给包含氟的气体的工序中，除去附着于在进行所述在衬底上形成膜的处理时向所述处理室内供给处理气体的喷嘴内的堆积物，并且除去附着在反应管的内壁的堆积物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述升温的工序中，向所述处理室内供给包含氟的气体。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述升温的工序中，向所述处理室内供给醇。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一温度设为30℃～100℃的范围内的温度，将所述第二温度设为250℃～450℃的范围内的温度。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述供给包含氟的气体的工序中，除去通过所述供给包含氢和氟的气体的工序而在所述炉口部产生的水分。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述供给包含氟的气体的工序中，自在进行所述在衬底上形成膜的处理时供给作为所述处理气体的原料气体的喷嘴，向所述处理室内供给所述包含氟的气体。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述供给包含氟的气体的工序中，自设置于所述炉口部的短颈喷嘴，向所述处理室内供给所述包含氟的气体。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述供给包含氟的气体的工序中，自在进行所述在衬底上形成膜的处理时供给作为所述处理气体的原料气体的喷嘴，向所述处理室内供给所述包含氟的气体。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述供给包含氢和氟的气体的工序中，在将保持所述衬底的衬底支承件收纳在所述处理室内的状态下，向所述处理室内供给所述包含氢和氟的气体，在所述供给包含氟的气体的工序中，在将所述衬底支承件搬出至所述处理室外的状态下，向所述处理室内供给所述包含氟的气体。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述衬底支承件由碳化硅形成。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述供给包含氢和氟的气体的工序中，断续地向所述处理室内供给包含氢和氟的气体。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述供给包含氟的气体的工序中，断续地向所述处理室内供给所述包含氟的气体。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，使在所述供给包含氢和氟的气体的工序中的向所述处理室内供给所述包含氢和氟的气体的供给流量，或在所述供给包含氟的气体的工序中的向所述处理室内供给所述包含氟的气体的供给流量之中的至少一者连续变动。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，使供给所述包含氢和氟的气体及供给所述包含氟的气体两者的供给流量连续变动。

16.一种半导体器件的制造方法，具有：

在处理室内进行在衬底上形成膜的处理的工序；

对进行了形成所述膜的工序后的所述处理室内进行清洁的工序，

在对所述处理室内进行清洁的工序中，具有下述工序：

向加热至第一温度的所述处理室内供给包含氢和氟的气体的工序，

使所述处理室内的温度升温至比所述第一温度高的第二温度的工序，和

向加热至所述第二温度的所述处理室内供给包含氟的气体的工序，

其中，所述第一温度设为所述包含氟的气体不发生活化的温度，所述第二温度设为所述包含氟的气体发生活化的温度。