[发明专利]清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及介质

说明书

技术领域

本发明涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

背景技术

作为半导体器件(Device)的制造工序的一个工序，有时进行在收纳于处理室内的衬底上形成膜的处理。若进行成膜处理，则堆积物附着于处理室内。因此，有时进行下述清洁处理：向进行了成膜处理后的处理室内供给清洁气体，除去附着于处理室内的堆积物。

现有技术文献

专利文献

[专利文献1]日本特开2015-26660号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的目的在于，提供一种能够提高进行形成膜的处理后的处理室内的清洁效率的技术。

用于解决问题的手段

根据本发明的一个方式，提供一种技术，其为一种对进行了在衬底上形成膜的处理后的处理室内进行清洁的方法，包括：向加热至第一温度的所述处理室内供给包含氢和氟的气体的工序；使所述处理室内的温度升温至比所述第一温度高的第二温度的工序；向加热至所述第二温度的所述处理室内供给包含氟的气体的工序，其中，所述第一温度设为所述包含氟的气体不发生活化的温度，所述第二温度设为所述包含氟的气体发生活化的温度。

发明效果

通过本发明，能够提高进行形成膜的处理后的处理室内的清洁效率。

附图说明

[图1]是在本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是以纵剖视图表示处理炉部分的图。

[图2]是在本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的立式处理炉的一部分的概略构成图，是以图1的A-A线剖视图表示处理炉的一部分的图。

[图3]是本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的控制器的构成图，是将控制器的控制系统以框图表示的图。

[图4]为示出本发明的一种实施方式的成膜处理中的气体供给的定时(timing)的图。

[图5]为示出本发明的一种实施方式的清洁处理中的气体供给的定时的图。

[图6](a)为示出本发明的一种实施方式的清洁处理中的气体供给的定时的变形例1的图，(b)为示出本发明的一种实施方式的清洁处理中的气体供给的定时的变形例2的图，(c)为示出本发明的一种实施方式的清洁处理中的气体供给的定时的变形例3的图，(d)为示出本发明的一种实施方式的清洁处理中的气体供给的定时的变形例4的图。

[图7](a)为示出在实施例中，直至处理室内的清洁及吹扫完成的过程的图，(b)为示出在比较例中，直至处理室内的清洁及吹扫完成的过程的图。

[图8](a)是本发明的其他实施方式中适合使用的衬底处理装置的处理炉的概略构成图，是以纵剖视图表示处理炉部分的图，(b)是本发明的其他实施方式中合适地使用的衬底处理装置的处理炉的概略构成图，是以纵剖视图表示处理炉部分的图。

附图标记说明

200 晶片(衬底)

201 处理室

203 反应管

206 加热器

209 集流管

232a～232f 气体供给管

249a、249b、249e 喷嘴

121 控制器

具体实施方式

＜本发明的一种实施方式＞

以下，使用图1～图3说明本发明的一种实施方式。

(1)衬底处理装置的构成

如图1所示，处理炉202具有作为加热部件(加热机构)的加热器207。加热器207为圆筒状，通过保持板支承而垂直地安装。加热器207也作为通过热使气体活化(激发)的活化机构(激发部)发挥功能。