[发明专利]具有隔离壁的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体装置封装，其特征在于，包括：

基板；

所述基板上的第一电路，所述第一电路包括第一多个电气组件；

所述基板上的第二电路，所述第二电路包括第二多个电气组件；

位于所述第一电路和所述第二电路之间的隔离壁，所述隔离壁从所述基板的表面垂直延伸到高于所述第一多个组件和所述第二多个组件的高度，所述隔离壁具有上边缘，所述上边缘具有朝向所述基板的所述表面延伸的凹口的锯齿状轮廓；以及

覆盖所述基板的所述表面以及所述第一和第二电路的囊封材料，

所述凹口包括：

第一凹口，所述第一凹口中的每一个呈现平行于所述隔离壁的纵向尺寸的第一宽度；以及

第二凹口，所述第二凹口中的每一个呈现平行于所述隔离壁的所述纵向尺寸的第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其特征在于，所述高度是第一高度，所述隔离壁的所述上边缘与所述基板的所述表面间隔第二高度，且所述凹口中的每一个的底部部分与所述基板的所述表面间隔第三高度，所述第三高度小于所述第二高度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其特征在于，所述第一多个组件和所述第二多个组件的所述第一高度小于所述第三高度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其特征在于，所述凹口中的每一个呈现平行于所述隔离壁的纵向尺寸的宽度，对于所述凹口中的每一个，所述宽度都是相同的。

5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其特征在于：

所述第一电路包括第一晶体管和在所述第一晶体管与第一引线之间电耦合的互连件的第一阵列；以及

所述第二电路包括第二晶体管和在所述第二晶体管和第二引线之间电耦合的互连件的第二阵列，所述隔离壁被安置在所述互连件的所述第一和第二阵列之间，互连件的所述第一和第二阵列的所述互连件中的至少一个比互连件的所述第一和第二阵列的所述互连件的其余部分高，并且所述第一凹口在所述隔离壁中形成，以比所述第二凹口更接近比所述互连件的所述其余部分高的所述互连件中的所述至少一个。

6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其特征在于，所述高度是第一高度，所述隔离壁的所述上边缘包括相对的第一和第二远侧区域，以及在所述第一和第二远侧区域之间插入的中心区域，所述凹口位于所述隔离壁的所述上边缘的所述中心区域处，在所述中心区域处的所述隔离壁的所述上边缘与所述基板的所述表面间隔第二高度，且所述上边缘的第一和第二远侧区域与所述基板的所述表面间隔第三高度，所述第三高度小于所述第二高度。

7.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其特征在于，另外包括接地电位节点，其中所述隔离壁电连接到所述接地电位节点。

8.一种杜赫放大器封装，其特征在于，包括：

基板；

所述基板上的载波放大器，所述载波放大器包括第一晶体管和在所述第一晶体管与第一引线之间电耦合的线接合的第一阵列；

所述基板上的邻接于所述载波放大器的峰化放大器，所述峰化放大器包括第二晶体管和在所述第二晶体管与第二引线之间电耦合的线接合的第二阵列；

隔离壁，其由导电材料形成且位于所述载波放大器和所述峰化放大器之间，所述隔离壁从所述基板的表面垂直延伸到高于线接合的所述第一和第二阵列的高度，所述隔离壁具有上边缘，所述上边缘具有朝向所述基板的所述表面延伸的凹口的锯齿状轮廓，并且所述隔离壁被配置成在所述杜赫放大器的操作期间，减少所述载波放大器和所述峰化放大器之间的电感耦合；以及

囊封材料，其覆盖所述基板的所述表面、所述第一和第二电路，以及所述隔离壁，

所述凹口包括：

第一凹口，所述第一凹口中的每一个呈现平行于所述隔离壁的纵向尺寸的第一宽度；以及

第二凹口，所述第二凹口中的每一个呈现平行于所述隔离壁的所述纵向尺寸的第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。

9.一种制造半导体装置封装的方法，其特征在于，包括：

形成基板表面上的第一电路，所述第一电路包括第一多个组件；

形成所述基板的所述表面上的邻接于所述第一电路的第二电路，所述第二电路包括第二多个组件；

将由导电材料组成的隔离壁定位在所述第一电路和所述第二电路之间，所述隔离壁从所述基板的表面垂直延伸到高于所述第一多个组件和所述第二多个组件的高度，所述隔离壁具有上边缘，所述上边缘具有朝向所述基板的所述表面延伸的凹口的锯齿状轮廓，所述隔离壁被配置成在所述半导体装置的操作期间，减少所述第一电路和所述第二电路之间的电感耦合；以及

利用囊封材料覆盖所述基板的所述表面以及所述第一和第二电路，

所述凹口包括：

第一凹口，所述第一凹口中的每一个呈现平行于所述隔离壁的纵向尺寸的第一宽度；以及

第二凹口，所述第二凹口中的每一个呈现平行于所述隔离壁的所述纵向尺寸的第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。