[发明专利]具有隔离壁的半导体封装

说明书

一种半导体装置封装包括位于基板上的第一电路和第二电路之间的隔离壁。所述隔离壁被配置成在所述半导体装置的操作期间，减少所述第一和第二电路之间的电感耦合。囊封材料覆盖所述基板、第一和第二电路以及所述隔离壁。所述隔离壁沿着其上边缘具有特征，例如凹口，所述特征促进所述囊封材料在制造期间横跨所述隔离壁的流动，以在很大程度上消除已完成半导体装置封装的表面上的内部缺陷和/或可视缺陷。对于双路径放大器，例如杜赫功率放大器，所述隔离壁分离载波放大器元件与峰化放大器元件，所述隔离壁包括在所述半导体装置封装内。

技术领域

本发明大体上涉及半导体装置封装，且更具体来说，设计并有减少其中邻接电路之间的电感耦合的结构的半导体装置封装。

背景技术

无线通信系统通常采用用于增加信号的功率的功率放大器。在无线通信系统中，功率放大器通常是发射链(输出级)中的最后一个放大器，并且它是通常最注意功率效率的放大级。功率相加的效率(即，输出功率和输入功率与DC功率之间的差)的高增益、高线性、稳定性和高水平是理想放大器的特性。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种半导体装置封装，其特征在于，包括：基板；所述基板上的第一电路，所述第一电路包括第一多个电气组件；所述基板上的第二电路，所述第二电路包括第二多个电气组件；位于所述第一电路和所述第二电路之间的隔离壁，所述隔离壁从所述基板的表面垂直延伸到高于所述第一多个组件和所述第二多个组件的高度，所述隔离壁具有上边缘，所述上边缘具有朝向所述基板的所述表面延伸的凹口的锯齿状轮廓；以及覆盖所述基板的所述表面以及所述第一和第二电路的囊封材料。

可选地，所述高度是第一高度，所述隔离壁的所述上边缘与所述基板的所述表面间隔第二高度，且所述凹口中的每一个的底部部分与所述基板的所述表面间隔第三高度，所述第三高度小于所述第二高度。

可选地，所述第一多个组件和所述第二多个组件的所述第一高度小于所述第三高度。

可选地，所述凹口中的每一个呈现平行于所述隔离壁的纵向尺寸的宽度，对于所述凹口中的每一个，所述宽度都是相同的。

可选地，所述凹口包括：第一凹口，所述第一凹口中的每一个呈现平行于所述隔离壁的纵向尺寸的第一宽度；以及第二凹口，所述第二凹口中的每一个呈现平行于所述隔离壁的所述纵向尺寸的第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。

可选地，所述第一电路包括第一晶体管和在所述第一晶体管与第一引线之间电耦合的互连件的第一阵列；以及所述第二电路包括第二晶体管和在所述第二晶体管和第二引线之间电耦合的互连件的第二阵列，所述隔离壁被安置在所述线接合的所述第一和第二阵列之间，互连件的所述第一和第二阵列的所述互连件中的至少一个比互连件的所述第一和第二阵列的所述互连件的其余部分高，并且所述第一凹口在所述隔离壁中形成，以比所述第二凹口更接近比所述互连件的所述其余部分高的所述互连件中的所述至少一个。

可选地，所述高度是第一高度，所述隔离壁的所述上边缘包括相对的第一和第二远侧区域，以及在所述第一和第二远侧区域之间插入的中心区域，所述凹口位于所述隔离壁的所述上边缘的所述中心区域处，在所述中心区域处的所述隔离壁的所述上边缘与所述基板的所述表面间隔第二高度，且所述上边缘的第一和第二远侧区域与所述基板的所述表面间隔第三高度，所述第三高度小于所述第二高度。

可选地，半导体装置封装，另外包括接地电位节点，其中所述隔离壁电连接到所述接地电位节点。

可选地，所述第一电路包括第一晶体管和在所述第一晶体管与第一引线之间电耦合的互连件的第一阵列；所述第二电路包括第二晶体管和在所述第二晶体管与第二引线之间电耦合的互连件的第二阵列，并且所述隔离壁至少在互连件的所述第一和第二阵列之间延伸。

可选地，所述隔离壁被配置成在所述第一和第二电路中的至少一个的操作期间，减少所述第一电路和所述第二电路之间的电感耦合。

可选地，所述隔离壁由具有导电材料的主体形成。