[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

a.在一块相对低电阻率的N型硅片(1)上外延形成相对高电阻率的N型外延层(2)；

b.在a步所形成的N型外延层(2)上完成正面制作工序，包括：形成栅氧化层(3)、多晶硅层(4)、P阱(5)、N+发射区(6)、BPSG层(7)以及正面金属层(8)；

c.翻转后减薄硅片；

d.清洗硅片，背面离子注入P型杂质，退火形成P型集电区(9)；

e.在P型集电区(9)表面淀积形成金属层(10)。

2.根据权利要求1所述的一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的漂移区由两部分构成，包含由N型硅片(1)减薄后成形成的下漂移区和N型外延层(2)形成的上漂移区。

3.根据权利要求2所述的一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的上漂移区的电阻率大于下漂移区的电阻率，上漂移区掺杂浓度低，用于提高器件的耐压，下漂移区掺杂浓度相对较高，用于承担部分耐压同时具有buffer的作用。

4.根据权利要求3所述的一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，步骤c中减薄后形成的总的衬底厚度大于步骤a中形成的N型外延层(2)的厚度。