[发明专利]静电放电钳位器件、电路及静电放电保护电路

权利要求书

1.一种静电放电钳位器件，其特征在于，包括：

衬底；

所述衬底上具有两个以上相隔离的阱区；

在每一个所述阱区中，包括一源极区、一漏极区和一体区，所述源极区和漏极区之间的阱区上具有一栅极，所述体区与栅极短接；

在不同的所述阱区之间，第一个所述阱区中的源极区连接一第一电源线，最后一个所述阱区中的漏极区连接一第二电源线，前一所述阱区中的漏极区连接后一所述阱区中的源极区；

其中，所述衬底、源极区和漏极区为第一导电类型，所述阱区和体区为第二导电类型；

所述静电放电钳位器件还包括第一深阱，所述阱区位于所述第一深阱中，所述第一深阱为第一导电类型；

所述静电放电钳位器件还包括第三深阱，所述第一深阱位于所述第三深阱中，所述第三深阱为第二导电类型。

2.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述体区围绕所述源极区、栅极和漏极区。

3.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述静电放电钳位器件还包括用于隔离所述第一深阱的第二深阱，所述第二深阱为第二导电类型。

4.如权利要求3所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第二深阱中设置有引出区，所述引出区接浮动电压，所述引出区为第二导电类型。

5.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第三深阱的掺杂浓度小于所述阱区的掺杂浓度。

6.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第一深阱中还包括至少一隔离区，相邻的所述阱区之间具有至少一所述隔离区，所述隔离区为第一导电类型。

7.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

8.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第一电源线为高压电源线，所述第二电源线为低压电源线。

9.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第一电源线和第二电源线之间的电压差大于等于10V。

10.如权利要求9所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第一电源线和第二电源线之间的电压差为20V、30V、40V或50V。

11.一种静电放电保护电路，其特征在于，包括如权利要求1至9任意一项所述的静电放电钳位器件。

12.一种静电放电钳位电路，其特征在于，包括两个以上晶体管，所述两个以上晶体管位于不同的阱区中；

在每个所述晶体管中，所述晶体管的栅极与衬底短接；

第一个所述晶体管的源极连接一第一电源线，最后一个所述晶体管的漏极连接一第二电源线，前一所述晶体管的漏极连接后一所述晶体管的源极；

所述静电放电钳位电路还包括第一深阱，所述晶体管位于所述第一深阱中，所述第一深阱为第一导电类型；

所述静电放电钳位电路还包括第三深阱，所述第一深阱位于所述第三深阱中，所述第三深阱为第二导电类型。

13.如权利要求12所述的静电放电钳位电路，其特征在于，所述第一电源线为高压电源线，所述第二电源线为低压电源线。

14.如权利要求12或13所述的静电放电钳位电路，其特征在于，所述晶体管为PMOS晶体管。

15.如权利要求12或13所述的静电放电钳位电路，其特征在于，所述第一电源线和第二电源线之间的电压差大于等于10V。

16.如权利要求15所述的静电放电钳位电路，其特征在于，所述第一电源线和第二电源线之间的电压差为20V、30V、40V或50V。