[发明专利]静电放电钳位器件、电路及静电放电保护电路

说明书

本发明提供一种静电放电钳位器件、电路及静电放电保护电路，在所述静电放电钳位器件中，衬底上具有两个以上相隔离的阱区；在每一个所述阱区中，包括一源极区、一漏极区和一体区，所述源极区和漏极区之间的阱区上具有一栅极，所述体区与栅极短接；在不同的所述阱区之间，第一个所述阱区中的源极区连接一第一电源线，最后一个所述阱区中的漏极区连接一第二电源线，前一所述阱区中的漏极区连接后一所述阱区中的源极区。所述静电放电钳位器件、电路及静电放电保护电路具有反向保护能力，可以提高静电放电钳位器件的鲁棒性。

技术领域

本发明涉及集成电路静电保护电路设计领域，尤其涉及一种静电放电钳位器件、电路及静电放电保护电路。

背景技术

集成电路(ICs)在制造、装配和测试或在最终的应用中，很容易遭受到制造或者使用过程中的破坏性静电放电(ESD)，可导致许多问题，如栅极氧化物击穿、结损伤、金属损害、和表面电荷累积，从而使得集成电路受到静电的损伤。

目前，电源管理集成电路，驱动器集成电路和汽车集成电路等高压集成电路已经广泛应用于生产生活当中，但是，在现有的在高压集成电路中，静电放电的鲁棒性(robustness)差，并且没有反向保护，不足以满足高压静电放电的要求，造成高压集成电路损伤。因此，有必要对的高压集成电路提供有效地的静电放电保护。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种静电放电钳位器件、电路及静电放电保护电路，可以有效地提高高压集成电路的静电放电保护能力。

为解决上述技术问题，本发明提供一种静电放电钳位器件，包括：

衬底；

所述衬底上具有两个以上相隔离的阱区；

在每一个所述阱区中，包括一源极区、一漏极区和一体区，所述源极区和漏极区之间的阱区上具有一栅极，所述体区与栅极短接；

在不同的所述阱区之间，第一个所述阱区中的源极区连接一第一电源线，最后一个所述阱区中的漏极区连接一第二电源线，前一所述阱区中的漏极区连接后一所述阱区中的源极区；

其中，所述衬底、源极区和漏极区为第一导电类型，所述阱区和体区为第二导电类型。

可选的，在所述静电放电钳位器件中，所述体区围绕所述源极区、栅极和漏极区。

可选的，在所述静电放电钳位器件中，所述静电放电钳位器件还包括第一深阱，所述阱区位于所述第一深阱中，所述第一深阱为第一导电类型。

可选的，在所述静电放电钳位器件中，所述静电放电钳位器件还包括用于隔离所述第一深阱的第二深阱，所述第二深阱为第二导电类型。

可选的，在所述静电放电钳位器件中，所述第二深阱中设置有引出区，所述引出区接浮动电压，所述引出区为第二导电类型。

可选的，在所述静电放电钳位器件中，所述静电放电钳位器件还包括第三深阱，所述第一深阱位于所述第三深阱中，所述第三深阱为第二导电类型。

可选的，在所述静电放电钳位器件中，所述第三深阱的掺杂浓度小于所述阱区的掺杂浓度。

可选的，在所述静电放电钳位器件中，所述第一深阱中还包括至少一隔离区，相邻的所述阱区之间具有至少一所述隔离区，所述隔离区为第一导电类型。

可选的，在所述静电放电钳位器件中，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

可选的，在所述静电放电钳位器件中，所述第一电源线为高压电源线，所述第二电源线为低压电源线。

可选的，在所述静电放电钳位器件中，所述第一电源线和第二电源线之间的电压差大于等于10V。