[发明专利]微发光二极管的转印装置有效
申请号: | 201710093395.8 | 申请日: | 2017-02-21 |
公开(公告)号: | CN106876293B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 陈黎暄 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L25/075;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;顾楠楠 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 装置 | ||
本发明提供了一种微发光二极管的转印装置,包括机架,在机架上设有加热面朝下的加热装置以及设于加热装置下方可移动的冷却装置,所述加热装置的加热面用于承载具有微发光二极管的供给衬底,供给衬底通过固定件固定于加热面上,所述冷却装置的冷却面用于承载接收衬底;所述冷却装置的冷却面与加热装置的加热面相对,在加热装置与冷却装置之间设有滚筒机构,滚筒机构固定在机架上,所述滚筒机构上设有可循环转动的传送带,所述传送带由转印膜片构成,在传送带的外表面上设有温控胶。与现有技术相比,通过设置加热装置以及冷却装置,中间通过滚筒式传送带,在传送带表面设置温控胶,实现微发光二极管的循环吸附以及转印,提高转印效率。
技术领域
本发明涉及一种微发光二极管显示技术领域,特别是一种微发光二极管的转印装置。
背景技术
平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
微发光二极管(Micro LED,μLED)显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素来实现图像显示的显示器,同大尺寸的户外LED显示屏一样,每一个像素可定址、单独驱动点亮,可以看成是户外LED显示屏的缩小版,将像素点距离从毫米级降低至微米级,μLED显示器和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器一样属于自发光显示器,但μLED显示器相比OLED显示器还具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点,被认为是OLED显示器的最大竞争对手。
微转印(Micro Transfer Printing)技术是目前制备μLED显示装置的主流方法,具体制备过程为:首先在蓝宝石类基板生长出微发光二极管,然后通过激光剥离技术(Laser lift-off,LLO)将微发光二极管裸芯片(bare chip)从蓝宝石类基板上分离开,随后使用一个图案化的聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)传送头将微发光二极管裸芯片从蓝宝石类基板吸附起来,并将PDMS传送头与接收基板进行对位,随后将PDMS传送头所吸附的微发光二极管裸芯片贴附到接收基板上预设的位置,再剥离PDMS传送头,即可完成将微发光二极管裸芯片转移到接收基板上,进而制得μLED显示装置。
而目前的转印一般采用通电吸附或PDMS的方式粘附进行转印,当使用PDMS方式进行剥离时存在较难控制剥离效果;当使用通电吸附时则需要对每个吸附头进行导通,不仅复杂而且剥离效果欠佳;目前还有一种通过温度控制来进行微发光二极管转印的技术,其原理是通过低温剥离型胶水,其转印的过程分为吸附-转移-降温最终完成转印,但是往往降温和完成转印的过程速率较慢,且不利于重复进行的高效转印。
发明内容
为克服现有技术的不足,本发明提供一种微发光二极管的转印装置,从而提高转印的效率。
本发明提供了一种微发光二极管的转印装置,包括机架,在机架上设有加热面朝下的加热装置以及设于加热装置下方可移动的冷却装置,所述加热装置的加热面用于承载具有微发光二极管的供给衬底,供给衬底通过固定件固定于加热面上,所述冷却装置的冷却面用于承载接收衬底;所述冷却装置的冷却面与加热装置的加热面相对,在加热装置与冷却装置之间设有滚筒机构,滚筒机构固定在机架上,所述滚筒机构上设有可循环转动的传送带,所述传送带由转印膜片构成,在传送带的外表面上设有温控胶,通过传送带上的温控胶将被加热的供给衬底上的微发光二极管粘附后,滚筒机构的转动带动传送带移动至接收衬底一侧,通过冷却装置对接收衬底降温,温控胶失去粘性将粘附在传送带上的微发光二极管剥离,完成微发光二极管的转印,在机架上设有电源,电源与滚筒机构、加热装置、冷却装置电连接。
进一步地,所述滚筒机构的转动方向与冷却装置的移动方向相反。
进一步地,所述冷却装置上设有与电源连接的传动机构,传动机构用于驱动冷却装置移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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