[发明专利]一种高密度五氧化二钽膜料制备方法

说明书

本发明公开了一种高密度五氧化二钽膜料制备方法，将五氧化二钽粉末放入真空石墨炉中热压成型；包括以下步骤：(1)采用机械泵抽真空到1×10³～5×10³Pa，再打开扩散泵抽真空到1×10^‑3～5×10^‑3Pa；然后充入氩气进行保护，升温到1300～1600℃；(2)保持温度处于1300～1600℃，并加压到18～25MPa，保温时间25～35min，在保温期间通惰性气体氩气保护，使烧结环境状态压力在1×10³～1×10⁴Pa之间；(3)以3～7℃/min的冷却速度冷却至室温，即得高密度五氧化二钽膜料。本发明通过高温加压的方式实现了材料的进一步致密化，简化了传统五氧化二钽生产流程，且通过高温加压的方式可以制备出致密度更高，纯度更高的镀膜材料。

技术领域

本发明属于生物医药技术领域，涉及一种高密度五氧化二钽膜料制备方法。

背景技术

作为激光系统中的重要组成部分，光学薄膜相对于其他元件具有较低的抗激光损伤阈值，是激光系统中非常重要而又最易损伤的薄弱环节。它一旦遭到破坏，不但会使光束质量降低，阻碍系统的最优化性能发挥，严重时还会产生连锁反应，导致其它光学元件的损伤，最终导致整个激光系统无法工作。长期以来，高功率激光对光学薄膜的损伤一直是限制激光向高功率、高能量方向发展的瓶颈之一，也是影响高功率激光薄膜使用寿命的主要因素之一。

发明内容

为了改善上述问题，本发明的目的主要是提供一种高密度五氧化二钽膜料制备方法。

本发明通过下述技术方案实现：

一种高密度五氧化二钽膜料制备方法，是将五氧化二钽粉末放入真空石墨炉中热压成型；包括以下步骤：

(1)采用机械泵抽真空到1×10³～5×10³Pa，再打开扩散泵抽真空到1×10^-3～5×10^-3Pa；然后充入氩气进行保护，继续升温到1300～1600℃；

(2)保持温度处于1300～1600℃，并加压到18～25MPa，保温时间25～35min，在保温期间通惰性气体氩气保护，使烧结环境状态压力在1×10³～1×10⁴Pa之间；

(3)以3～7℃/min的冷却速度冷却至室温，即得高密度五氧化二钽膜料。

进一步地，所述五氧化二钽粉末的纯度为大于99.99wt％。

具体地，步骤(1)具体为：采用机械泵抽真空到2×10³Pa，再打开扩散泵抽真空到2×10^-3Pa；然后充入氩气进行保护，继续升温到1400℃。

具体地，步骤(2)具体为：保持温度处于1400℃，并加压到20MPa，保温30min，在保温期间通惰性气体氩气保护，使烧结环境状态压力在5×10³Pa之间。

具体地，步骤(3)具体为：以5℃/min的冷却速度冷却至室温，即得高密度五氧化二钽膜料。

本发明具有以下优点及有益效果：

本发明通过高温加压的方式实现了材料的进一步致密化，简化了传统五氧化二钽生产流程，且通过高温加压的方式可以制备出致密度更高，纯度更高的镀膜材料，烧成密度可达到理论密度的99.7％，即8.17g/cm³高于冷压+无压烧结制备工艺制备的五氧化二钽(99％理论密度)。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明做进一步的说明，但本发明的实施方式并不限于此。