[发明专利]半导体装置以及制造的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包含：

施加第一聚合物层于第一重布层上方，所述第一重布层位于半导体衬底上方；

图案化所述第一聚合物层以暴露至少所述第一重布层的一部分；

形成第一导电通路通过所述第一聚合物层且与所述第一重布层电连接，其中所述第一导电通路具有不大于10μm的第一厚度；

在所述形成所述第一导电通路之后，以囊封剂囊封所述半导体衬底，其中所述囊封剂不与所述第一导电通路物理接触；

沉积第二聚合物层于所述囊封剂上方且与所述第一导电通路物理接触；以及形成第一扇出重布层于所述第二聚合物层上方且通过所述第二聚合物层。

2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中所述第一聚合物层包含聚酰亚胺层。

3.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，进一步包含在所述施加所述第一聚合物层之前，形成第一钝化层到所述半导体衬底上，其中在所述施加所述第一聚合物层之后，所述第一钝化层与顶部金属层以及也与所述第一聚合物层二者都物理接触，其中所述第一钝化层具有遍布所述第一钝化层的固定组成。

4.一种制造半导体装置的方法，所述方法包含：

形成有源装置到半导体衬底的第一侧上；

形成多个金属化层于所述有源装置上方，其中所述金属化层具有顶部金属层，所述顶部金属层比所述金属化层的其余者进一步远离所述半导体衬底；

形成第一钝化层与所述顶部金属层物理接触，其中所述第一钝化层为在所述半导体衬底上方的所述第一钝化层，以及其中所述第一钝化层包含遍布在所述第一钝化层的第一介电材料；

形成第一重布层与所述顶部金属层电连接，其中所述第一重布层包含第一材料；

形成第一保护层于所述第一重布层上方且与所述第一钝化层物理接触；

形成第一导电通路通过所述第一保护层且与所述第一重布层物理接触，所述第一导电通路包含第二材料且具有小于约10μm的厚度，所述第二材料不同于所述第一材料；

以囊封剂囊封所述半导体衬底，其中在所述囊封之后，所述第一导电通路不与所述囊封剂接触；

沉积第二保护层于所述第一导电通路与所述囊封剂上方；及

形成钝化后互连件于所述第二保护层上方，所述钝化后互连件与所述第一导电通路电连接且延伸在所述囊封剂上方。

5.根据权利要求5所述的制造半导体装置的方法，其中所述半导体衬底包含第二侧，相对于所述第一侧，所述第一保护层包含第一表面，背对所述半导体衬底，以及其中所述囊封剂具有厚度不大于从所述半导体衬底的所述第二侧至所述第一表面的距离。

6.根据权利要求4所述的制造半导体装置的方法，其中所述第一保护层包含非聚合物复合介电材料。

7.根据权利要求6所述的制造半导体装置的方法，其中所述复合材料包含一层氧化硅以及一层氮化硅。

8.根据权利要求4所述的制造半导体装置的方法，其中所述第一重布层具有第一部分，与所述顶部金属层物理连接；以及第二部分，与所述顶部金属层物理连接，其中所述第一部分与所述第二部分经由所述第一钝化层彼此分开。

9.根据权利要求4所述的制造半导体装置的方法，进一步包含形成第一外部连接件与所述钝化后互连件电连接。

10.一种半导体装置，其包含：

半导体衬底；

顶部金属层，在所述半导体衬底上方；

第一钝化层，在所述顶部金属层上方且与所述顶部金属层物理接触；

第一重布层，在所述第一钝化层上方且与所述第一钝化层物理接触；

第一聚合物层，在所述第一重布层上方且与所述第一重布层物理接触；

囊封剂，与所述半导体衬底、第一钝化层以及第一聚合物层物理接触；及

第一导电通路，延伸通过所述第一聚合物层且与所述第一重布层电连接，所述第一导电通路与所述囊封剂侧向分开且具有不大于10μm的厚度。