[发明专利]半导体装置以及制造的方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体装置以及制造的方法。

背景技术

自从集成电路(integrated circuit；IC)的发明，由于在各种电子组件(即，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改良，半导体产业已经历了快速的成长。大部分来说，此在集成密度的改良来自最小特征大小重复地减少，其允许更多组件被集成到给定面积中。

然而，仅仅降低晶体管、二极管、电阻器、电容器以及类似物的最小特征大小，在意图减少半导体装置的总体大小中仅是一个可以被改良的方面。目前在探讨的其它方面包括半导体装置的其它方面。是为了减少大小而研究在这些其它结构中的改良。

发明内容

根据实施例，提供一种制造半导体装置的方法，其包含施加第一聚合物层于第一重布层上方，所述第一重布层位在半导体衬底上方。图案化所述第一聚合物层以暴露至少所述第一重布层的一部分，以及形成第一导电通路通过所述第一聚合物层且与所述第一重布层电连接，其中所述第一导电通路具有不大于10μm的第一厚度。在所述形成所述第一导电通路之后，以囊封剂囊封所述半导体衬底，其中所述囊封剂不与所述第一导电通路物理接触。沉积第二聚合物层于所述囊封剂上方且与所述第一导电通路物理接触，以及形成第一扇出重布层于所述第二聚合物层上方且通过所述第二聚合物层。

根据另一实施例，提供一种制造半导体装置的方法，其包含形成有源装置到半导体衬底的第一侧上，以及形成多个金属化层于所述有源装置上方，其中所述金属化层具有顶部金属层，所述顶部金属层比所述金属化层的其余者更远离于所述半导体衬底。形成第一钝化层与所述顶部金属层物理接触，其中所述第一钝化层为在所述半导体衬底上方的所述第一钝化层，以及其中所述第一钝化层包含第一介电材料遍布所述第一钝化层。形成第一重布层与所述顶部金属层电连接，其中所述第一重布层包含第一材料。形成第一保护层于所述第一重布层上方且物理接触所述第一钝化层，以及形成第一导电通路通过所述第一保护层且与所述第一重布层物理接触，所述第一导电通路包含第二材料且具有小于约10μm的厚度，所述第二材料不同于所述第一材料。以囊封剂囊封所述半导体衬底，其中在所述囊封之后，所述第一导电通路不与所述囊封剂接触。沉积第二保护层于所述第一导电通路及所述囊封剂上方，以及形成钝化后互连件于所述第二保护层上方，所述钝化后互连件与所述第一导电通路电连接且延伸到所述囊封剂上方。

根据又一实施例中，提供一种半导体装置，其包含半导体衬底；以及顶部金属层，在所述半导体衬底上方。第一钝化层在所述顶部金属层上方且与所述顶部金属层物理接触；以及第一重布层，在所述第一钝化层上方且与所述第一钝化层物理接触。第一聚合物层在所述第一重布层上方且与所述第一重布层物理接触；以及囊封剂与所述半导体衬底、第一钝化层、以及第一聚合物层物理接触。第一导电通路延伸通过所述第一聚合物层且与所述第一重布层电连接，所述第一导电通路与所述囊封剂侧向分开且具有不大于10μm的厚度。

附图说明

本公开内容的方面将在与随附图式一同阅读下列详细说明下被最佳理解。请注意，根据行业标准作法，各种特征未依比例绘制。事实上，为了使讨论内容清楚，各种特征的尺寸可刻意放大或缩小。

图1为根据一些实施例绘示具有顶部金属层以及第一钝化层的半导体装置。

图2为根据一些实施例绘示第一重布层的形成。

图3为根据一些实施例绘示第一保护层的形成。

图4为根据一些实施例绘示第一导电通路的形成。

图5为根据一些实施例绘示单粒化工艺。

图6A到6C为根据一些实施例绘示囊封工艺。

图7为根据一些实施例绘示第二重布层的形成。

图8为根据一些实施例绘示第二保护层的形成。

图9为根据一些实施例绘示外部连接的形成。

图10为根据一些实施例绘示其中所述第一保护层利用非聚合材料的实施例。

具体实施方式