[发明专利]一种中空管内壁上氧化锗薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201710094942.4 | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN108469636A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 陈桂竹;徐晓莹;韩慧兰 | 申请（专利权）人： | 上海市闵行第二中学 |
| 主分类号： | G02B1/10 | 分类号： | G02B1/10;G02B5/08;G02B6/02 |
| 代理公司： | 上海远同律师事务所 31307 | 代理人： | 张坚 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 中空管 氧化锗薄膜 制备 中空管内壁 前驱体溶液 液相沉积 钢套筒 内壁 全反射现象 缓慢旋转 结构致密 水平固定 退火处理 入射角 折射率 生长 波长 空管 入射 水中 沉积 密封 溶解 光纤 取出 传播 | ||
【权利要求书】：
1.一种中空管内壁上氧化锗薄膜的制备方法，其特征在于：采用液相沉积法制备生长于中空管内壁的氧化锗薄膜，所述制备方法包括以下步骤：
(1)通过在氨水中溶解GeO2粉末制得GeO2前驱体溶液，并调节前驱体溶液的PH值。
(2)将溶液注入中空管中，密封中空管的两端，将所述中空管水平固定于钢套筒中，钢套筒和中空管一同缓慢旋转，通过液相沉积过程，使氧化锗薄膜均匀地生长在中空管的内壁上，取出中空管进行干燥，并进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的中空管内壁上氧化锗薄膜的制备方法，其特征在于：所述中空管包括玻璃管，陶瓷管，金属管。
3.根据权利要求1所述的中空管内壁上氧化锗薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中的前驱体溶液重量百分比为5-9wt.％，调节PH值1-4。
4.根据权利要求1所述的中空管内壁上氧化锗薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的钢套筒与中空管的旋转速度为8-12rpm，旋转时间为64-84小时。
5.根据权利要求1所述的中空管内壁上氧化锗薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的退火处理温度为1000-1200℃，时间为15-25分钟。
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