[发明专利]垂直腔表面发射激光器及激光器阵列

说明书

表面发射激光器可以包括隔离层，隔离层包括第一中心部分和从第一中心部分延伸的第一多个外部部分；以及金属层，金属层包括第二中心部分和从第二中心部分延伸的第二多个外部部分。金属层可以形成在隔离层上，使得第二多个外部部分中的第一外部部分形成在第一多个外部部分中的一个之上。表面发射激光器可以包括钝化层，钝化层包括多个开口。开口可以形成在第一外部部分之上。表面发射激光器可以包括多个氧化沟槽。氧化沟槽可以定位在第一外部部分和第二多个外部部分中的第二外部部分之间。

技术领域

本发明总体上涉及激光器，更具体地，涉及与垂直腔表面发射激光器(VCSEL)相关联的紧凑发射器设计。

背景技术

垂直发射装置，例如，垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，是其中激光束在平行于基板的表面的方向上(例如，从半导体晶片的表面垂直地)发射的激光器。与边缘发射装置相比，垂直发射装置可以允许在晶片制造的中间步骤中进行测试。

发明内容

根据一些可能的实施方式，一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)可以包括：植入隔离层，其包括具有第一半径的圆形部分和从所述圆形部分的圆周延伸的第一多个延伸部分；P欧姆金属层，其包括具有第二半径的环形部分和从所述环形部分的圆周延伸的第二多个延伸部分，其中所述P欧姆金属层可以形成在所述植入隔离层上，使得所述第二多个延伸部分定位在所述植入隔离层的第一多个延伸部分之上；形成在电介质通孔层上的多个电介质通孔开口，其中所述多个电介质通孔开口中的电介质通孔开口可以定位在所述第一多个延伸部分中的第一延伸部分之上和所述第二多个延伸部分中的第一延伸部分之上；以及多个氧化沟槽，其中所述多个氧化沟槽中的氧化沟槽至少部分地定位在所述第一多个延伸部分中的第一延伸部分和所述第一多个延伸部分中的第二延伸部分之间。

根据一些可能的实施方式，所述垂直腔表面发射激光器的宽度大约等于32.4微米。

根据一些可能的实施方式，所述第一多个延伸部分的数量匹配所述第二多个延伸部分的数量、所述多个电介质通孔开口的数量、以及所述多个氧化沟槽的数量。

根据一些可能的实施方式，所述多个电介质通孔开口中的两个或更多个被连接以形成部分环形。

根据一些可能的实施方式，所述多个氧化沟槽形成为部分环形。

根据一些可能的实施方式，与所述植入隔离层相关联的所述第一半径大约小于或等于与所述P欧姆金属层相关联的所述第二半径。

根据一些可能的实施方式，所述第一多个延伸部分、所述第二多个延伸部分和所述多个电介质通孔开口围绕所述圆形部分的圆周大约等距地间隔开。

根据一些可能的实施方式，一种表面发射激光器可以包括：隔离层，其包括第一中心部分和从所述第一中心部分的圆周延伸的第一多个外部部分；金属层，其包括第二中心部分和从所述第二中心部分的圆周延伸的第二多个外部部分，其中所述金属层可以形成在所述隔离层上，使得所述第二多个外部部分中的第一外部部分形成在所述第一多个外部部分中的一个之上；包括多个开口的钝化层，其中所述多个开口中的开口可以形成在所述第二多个外部部分中的第一外部部分之上；以及多个氧化沟槽，其中所述多个氧化沟槽中的氧化沟槽可以至少部分地定位在所述第二多个外部部分中的第一外部部分和所述第二多个外部部分中的第二外部部分之间，其中所述第一外部部分可以相邻于所述第二外部部分。

根据一些可能的实施方式，所述第二多个外部部分中的每个外部部分形成在所述第一多个外部部分中的一个之上，或者所述多个开口中的每个开口形成在所述第二多个外部部分中的一个之上。

根据一些可能的实施方式，所述第一多个外部部分的数量匹配所述第二多个外部部分的数量、所述多个开口的数量、以及所述多个氧化沟槽的数量。

根据一些可能的实施方式，所述第一多个外部部分的数量包括五个外部部分、六个外部部分或七个外部部分。