[发明专利]一种LTPS制程中的TFT器件的分布结构有效
| 申请号： | 201710096147.9 | 申请日： | 2017-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN106876409B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈辰 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ltps 中的 tft 器件 分布 结构 | ||
1.一种LTPS制程中的TFT器件的分布结构，其特征在于：第i行像素和第i+1行像素之间设有一对相互平行的数据线；
每对所述相互平行的数据线包括第一数据线和第二数据线；
第i行相邻两像素分别通过相应的U字型的TFT结构连接第一数据线和第二数据线；
第i+1行与所述第i行相邻两像素对应的两像素分别通过相应的U字形结构的TFT分别与第二数据线和第一数据线连接；
所述第i行像素的U字型TFT和与之对应的第i+1行像素的U字型TFT开口相对，交错设置；
所述TFT器件由栅极线导通。
2.根据权利要求1所述的LTPS制程中的TFT器件的分布结构，其特征在于：所述U字型TFT器件的源级和与之对应的数据线相连。
3.根据权利要求1所述的LTPS制程中的TFT器件的分布结构，其特征在于：所述第一数据线电压为正，第二数据线电压为负。
4.根据权利要求3所述的LTPS制程中的TFT器件的分布结构，其特征在于：与第一数据线连接的U字型TFT器件所在像素电极为负，与第二数据线连接的U字型TFT所在的像素电极为正。
5.根据权利要求1所述的LTPS制程中的TFT器件的分布结构，其特征在于：每根所述的栅极线呈S型环绕每列每相邻两对数据线之间的两个像素。
6.根据权利要求5所述的LTPS制程中的TFT器件的分布结构，其特征在于：每个所述像素四周设置有黑色矩阵，所述栅极线在水平方向上与设置在每对数据线之间的黑色矩阵重合，所述栅极线在垂直方向上与设置在两对相邻数据线之间且垂直于两对数据线的黑色矩阵重合。
7.根据权利要求6所述的LTPS制程中的TFT器件的分布结构，其特征在于：所述栅极线设置在双数据线层与TFT器件所在的半导体层之间。
8.根据权利要求1所述的LTPS制程中的TFT器件的分布结构，其特征在于：每个所述像素分别对应一个U字型TFT器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司，未经武汉华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710096147.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：微发光二极管显示面板及制作方法
- 下一篇：一种柔性显示面板及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
