[发明专利]一种LTPS制程中的TFT器件的分布结构有效
申请号: | 201710096147.9 | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN106876409B | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 陈辰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/02 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ltps 中的 tft 器件 分布 结构 | ||
一种LTPS制程中的TFT器件的分布结构,第i行像素和第i+1行像素之间设有一对相互平行的数据线;所述数据线包括第一数据线和第二数据线;第i行相邻两像素分别通过U字型结构的TFT器件分别连接第一数据线和第二数据线;第i+1行与上述两相邻像素对应的两像素分别通过U字形结构的TFT器件分别与第二数据线和第一数据线连接;所述第i行像素的U字型TFT器件与之对应的第i+1行像素的U字型TFT器件开口相对,交错设置。通过U字型TFT器件相互交叉设置,可以有效增加了产品的开口率,使用这种方式可以在列反转的情况下实现点反转,节省产品的功耗。
技术领域
本发明涉及液晶显示领域里的一种TFT的结构,具体是关于一种在LTPS制成中的TFT的结构。
背景技术
在显示面板的制造中,开口率是每一个产品设计团队在设计每一款的产品时必须考虑的事情,开口率指除去每一个次像素的配线部、晶体管部(通常采用黑色矩阵隐藏)后的光线通过部分的面积和每一个次像素整体的面积之间的比例。开口率越高,光线通过的效率越高。当光线经由背光板发射出来时,并不是所有的光线都能穿过面板,比如给LCDsource驱动芯片及gate驱动芯片用的信号走线,以及TFT本身,还有储存电压用的储存电容等。这些地方除了不完全透光外,也由于经过这些地方的光线不受电压控制,而无法显示正确的灰阶,所以都需利用黑矩阵(black matrix)加以遮蔽,以免干扰其它透光区域。而有效的透光区域与全部面积的比例就称之为开口率。像素(Pixel)Pixel显示器或电视机图象的)象素的图案设计、各类金属线的放置等各类因素都会极大的影响最终产品的开口率。
如图1所示,为传统LTPS工艺中TFT的形状及布局,相邻两列像素之间设有两个相互平行的数据线,所述数据线包括第一数据线21和第二数据线22,每列相邻两像素分别通过U字型TFT1与第一数据相连21,TFT2与第一数据线21相连,与上述两像素相对应的相邻列的两像素的TFT,分别与第二数据线22连接,所述第一数据线与第二数据线电压可以为正,这种现实模式为面反转或帧反转;所述第一数据线和第二数据线的电压可以相反,一个为正一个未负,这样相邻两列的像素一列为正电,一列为负电,这种显示模式叫做列反转。
此外,在显示面板的制造中,由于在画面切换时使用点反转的方式画面闪烁的现象表现最为轻微,因此在图像显示方式上人们更倾向于这种方式,但是为实现点反转的效果面板的功耗非常高,从而降低了产品在市场中的竞争性,因此一般产品中使用功耗较小的列反转的反转模式进行显示。
发明内容
本发明的目的在于:克服现有技术中实现点反转的效果面板的功耗高,产品在市场中的竞争性低的缺点,设计一种低功耗,增加开口率的TFT分布方式,在列反转的显示模式下实现点反转的显示效果。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案实现的:
一种LTPS制程中的TFT器件的分布结构,第i行像素和第i+1行像素之间设有一对相互平行的数据线;
所述每对数据线包括第一数据线和第二数据线;
第i行相邻两像素分别通过相应的U字型的TFT结构连接第一数据线和第二数据线;
第i+1行与上述两相邻像素对应的两像素分别通过相应的U字形结构的TFT分别与第二数据线和第一数据线连接;
所述第i行像素的U字型TFT和与之对应的第i+1行像素的U字型TFT开口相对,交错设置;
所述TFT器件由栅极线导通。
所述的LTPS制程中的TFT器件的分布结构,其中:所述U字型TFT器件的源极和与之对应的数据线相连。
所述的LTPS制程中的TFT器件的分布结构,其中:所述第一数据线电压为正,第二数据线电压为负。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的