[发明专利]中介层及包括中介层的半导体封装体

权利要求书

1.一种中介层，其特征在于，包括：

第一介电层，具有上表面及下表面；

导电柱，部分嵌设于所述第一介电层中，所述导电柱的一部分从所述第一介电层的所述下表面突出；

导电环，部分嵌设于所述第一介电层中，所述导电环围绕所述导电柱，且所述导电环的一部分从所述第一介电层的所述下表面突出；

焊料凸块，位于所述第一介电层的所述下表面上，其中所述导电柱的所述部分及所述导电环的所述部分皆嵌设于所述焊料凸块中；以及

重分布层，设置于所述第一介电层的所述上表面上。

2.如权利要求1所述的中介层，其特征在于，所述第一介电层的一部分围绕所述导电柱以分隔所述导电柱及所述导电环。

3.如权利要求1所述的中介层，其特征在于，进一步包括导电连接体嵌设于所述第一介电层中，其中所述导电连接体连接所述导电柱及所述导电环。

4.如权利要求1所述的中介层，其特征在于，所述导电柱的材料与所述导电环的材料相同。

5.如权利要求1所述的中介层，其特征在于，所述重分布层包括第二介电层及嵌设于所述第二介电层中的互连结构。

6.如权利要求5所述的中介层，其特征在于，所述导电柱贯穿所述第一介电层，且接触所述互连结构。

7.如权利要求5所述的中介层，其特征在于，所述导电环贯穿所述第一介电层，且接触所述第二介电层。

8.如权利要求5所述的中介层，其特征在于，所述导电环贯穿所述第一介电层，且接触所述互连结构。

9.如权利要求5所述的中介层，其特征在于，进一步包括微凸块设置于所述重分布层上，所述微凸块接触所述互连结构。

10.如权利要求1所述的中介层，其特征在于，所述导电柱具有平面，所述平面与所述第一介电层的所述上表面共平面。

11.如权利要求1所述的中介层，其特征在于，所述导电环具有平面，所述平面与所述第一介电层的所述上表面共平面。

12.如权利要求1所述的中介层，其特征在于，所述导电柱的第一高度大于、等于或小于所述导电环的第二高度。

13.如权利要求1所述的中介层，其特征在于，所述导电环的高度大于所述第一介电层的厚度。

14.如权利要求1所述的中介层，其特征在于，所述导电环为圆环形、多边环形或是不规则环形。

15.如权利要求1所述的中介层，其特征在于，所述导电柱的材料包括铜、铬、镍、铝、金、银、钨、钛、锡、铂、钯、氮化钛、钛钨、镍钒或铬铜。

16.如权利要求1所述的中介层，其特征在于，所述导电环的材料包括铜、铬、镍、铝、金、银、钨、钛、锡、铂、钯、氮化钛、钛钨、镍钒或铬铜。

17.一种半导体封装体，其特征在于，包括：

如权利要求1所述的中介层；

微凸块，设置于所述重分布层上；以及

晶片，设置于所述微凸块上，所述重分布层包括第二介电层及嵌设于所述第二介电层中的互连结构，所述微凸块接触所述互连结构。

18.如权利要求17所述的半导体封装体，其特征在于，所述第一介电层的一部分围绕所述导电柱以分隔所述导电柱及所述导电环。