[发明专利]中介层及包括中介层的半导体封装体

说明书

本发明公开了一种中介层及包括中介层的半导体封装体。中介层包括第一介电层、导电柱、导电环、焊料凸块及重分布层。第一介电层具有上表面及下表面。导电柱及导电环部分嵌设于第一介电层中，导电柱的一部分从第一介电层的下表面突出，导电环围绕导电柱，且导电环的一部分从第一介电层的下表面突出。焊料凸块设置于第一介电层的下表面上，导电柱的此部分及导电环的此部分皆嵌设于焊料凸块中。重分布层设置于第一介电层的上表面上。导电柱及导电环同时与焊料凸块连结，提供了较大的接触面积去接触焊料凸块，导电环可帮助导电柱支撑及托撑焊料凸块，因此焊料凸块可以被牢固地附着在导电柱及导电环上。

技术领域

本发明是关于一种中介层及一种包括中介层的半导体封装体。

背景技术

半导体集成电路(Integrated circuit，IC)产业历经快速发展，在发展的过程中，半导体装置的尺寸大幅地缩小。近期以来，工业上正在发展能够垂直整合半导体装置的技术，其中一种常见的已知方法为2.5维(2.5-dimensional，2.5D)封装技术。

在2.5维封装技术中，硅穿孔中介层(Through silicon via interposer)常被运用于连接电性元件进而形成半导体封装，此技术也有益于最小化半导体封装的尺寸。然而，制作硅穿孔中介层的方法通常很复杂，因此，硅穿孔中介层通常非常昂贵。所以，目前亟需新的中介层及新的半导体封装体。

发明内容

本发明的目的在于提供一种焊料凸块可以被牢固地附着在导电柱及导电环上的中介层及包括中介层的半导体封装体。

为实现上述目的，本发明提供一种中介层，其包括第一介电层、导电柱、导电环、焊料凸块及重分布层。第一介电层具有上表面及下表面。导电柱部分嵌设于第一介电层中，导电柱的一部分从第一介电层的下表面突出。导电环部分嵌设于第一介电层中，且围绕导电柱，并且，导电环的一部分从第一介电层的下表面突出。焊料凸块位于第一介电层的下表面上，其中导电柱的此部分及导电环的此部分皆嵌设于焊料凸块中。重分布层设置于第一介电层的上表面上。在此中介层中，导电柱及导电环皆嵌设于焊料凸块中，因此，导电环可以帮助导电柱支撑焊料凸块。

在一实施方式中，第一介电层的一部分围绕导电柱以分隔导电柱及导电环。

在一实施方式中，中介层进一步包括导电连接体嵌设于第一介电层中，其中导电连接体连接导电柱及导电环。

在一实施方式中，导电柱的材料与导电环的材料相同。

在一实施方式中，重分布层包括第二介电层及嵌设于第二介电层中的互连结构。

在一实施方式中，导电柱贯穿第一介电层，且接触互连结构。

在一实施方式中，导电环贯穿第一介电层，且接触第二介电层。

在一实施方式中，导电环贯穿第一介电层，且接触互连结构。

在一实施方式中，中介层进一步包括微凸块设置于重分布层上，其中微凸块接触互连结构。

在一实施方式中，导电柱具有平面，此平面与第一介电层的上表面共平面。

在一实施方式中，导电环具有平面，此平面与第一介电层的上表面共平面。

在一实施方式中，导电柱的第一高度大于、等于或小于导电环的第二高度。

在一实施方式中，导电环的高度大于第一介电层的厚度。

在一实施方式中，导电环为圆环形、多边环形或是不规则环形。

在一实施方式中，导电柱的材料包括铜、铬、镍、铝、金、银、钨、钛、锡、铂、钯、氮化钛、钛钨、镍钒或铬铜。

在一实施方式中，导电环的材料包括铜、铬、镍、铝、金、银、钨、钛、锡、铂、钯、氮化钛、钛钨、镍钒或铬铜。