[发明专利]具有放大通道区的FINFET装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

半导体层；

该半导体层的表面上所形成的多个半导体鳍片，该多个半导体鳍片沿着与该半导体层的该表面平行的第一方向平行延展，其中，该多个半导体鳍片于该第一方向上具有第一长度以及在垂直于该第一方向的第二方向上具有第一高度；以及

该半导体层的该表面上方所形成的多个栅极电极，该多个栅极电极包含沿着该第一方向平行于该多个半导体鳍片延展的纵向部分，其中，该多个栅极电极的该纵向部分于该第一方向上具有大于该第一长度的第二长度以及于该第二方向上具有小于该第一高度的第二高度。

2.如权利要求1所述的半导体装置，更包含介于该多个半导体鳍片与该多个栅极电极的该纵向部分之间的高k介电层。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该多个栅极电极是单一栅极电极层的部分。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中各该多个半导体鳍片包含源极区与漏极区，该半导体装置更包含与该源极区与漏极区电接触所形成的接触部，以及其中该接触部是在该第二方向形成大于该第二高度的第三高度。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该多个半导体鳍片在垂直于该第一与第二方向的第三方向上具有宽度，并且其中该多个栅极电极包含在该第三方向与该多个半导体鳍片的该宽度平行的横向部分。

6.一种FinFET装置，包含：

半导体层的表面上与该半导体层的该表面平行的第一方向彼此平行延展所形成的多个半导体鳍片，其中各该多个半导体鳍片包含晶体管通道区；以及

栅极电极层，其沿着该第一方向在该多个半导体鳍片之间延展以及在垂直于该第一方向的第二方向上的该多个半导体鳍片的侧壁上面延展，其中，该栅极电极层于该第一方向上的长度大于该多个半导体鳍片于该第一方向上的长度，以及其中，该栅极电极层于该第二方向上的高度小于该多个半导体鳍片于该第二方向上的高度。

7.如权利要求6所述的FinFET装置，其中各该多个半导体鳍片是于与该半导体层的该表面平行的平面中通过该栅极电极层的一部分来围蔽。

8.如权利要求6所述的FinFET装置，其中各该多个半导体鳍片包含源极区与漏极区。

9.如权利要求6所述的FinFET装置，其中各该多个半导体鳍片包含源极区与漏极区，该FinFET装置更包含与该源极区与漏极区电接触所形成的接触部，以及其中该接触部是在该栅极电极层上方形成。

10.如权利要求6所述的FinFET装置，其中该半导体层是半导体主体衬底的部分。

11.如权利要求6所述的FinFET装置，其中该晶体管通道区在该第一方向及该第二方向在该栅极电极层的整个高度上方实质延展。

12.一种制造半导体装置的方法，包含：

提供半导体层；

形成该半导体层的表面上的多个半导体鳍片，该多个半导体鳍片沿着与该半导体层的该表面平行的第一方向平行延展，其中，该多个半导体鳍片于该第一方向上具有第一长度以及在垂直于该第一方向的第二方向上具有第一高度；以及

形成该半导体层的该表面上面的多个栅极电极，该多个栅极电极包含沿着该第一方向平行于该多个半导体鳍片延展的纵向部分，其中，该多个栅极电极的该纵向部分于该第一方向上具有大于该第一长度的第二长度以及于该第二方向上具有小于该第一高度的第二高度。

13.如权利要求12所述的方法，更包含掺杂各该多个半导体鳍片以在各该多个半导体鳍片中形成源极与漏极区。

14.如权利要求12所述的方法，更包含掺杂各该多个半导体鳍片以在各该多个半导体鳍片中形成源极与漏极区，并且在该多个栅极电极上方的位置形成连至该源极与漏极区的电接触部。