[发明专利]用于FINFET架构的用固态扩散源掺杂的隔离阱

权利要求书

1.一种集成微电子结构，包括：

鳍状物，所述鳍状物包括硅并且包括位于第二区域之上的第一区域；

栅极叠置体，所述栅极叠置体与所述第一区域的侧壁表面相邻，其中，所述栅极叠置体包括栅极电介质和栅极电极；

源极和漏极；

电介质层，所述电介质层与所述第二区域的侧壁表面相邻，其中，所述电介质层包括杂质，所述杂质还存在于所述第二区域内并且与导电类型相关联；以及

隔离材料，所述隔离材料与所述电介质层相邻，

所述集成微电子结构还包括第二鳍状物，其中：

所述第二鳍状物包括上层区域和下层区域；

第二栅极叠置体与所述上层区域的侧壁表面相邻；并且

第二源极和第二漏极耦合到所述上层区域；

第二电介质层与所述下层区域的侧壁表面相邻，其中，所述第二电介质层包括第二杂质，所述第二杂质还存在于所述下层区域内并且与第二互补导电类型相关联；并且

所述隔离材料将所述电介质层与所述第二电介质层分隔开，

其中：所述电介质层和所述第二电介质层形成了与所述鳍状物的所述第二区域或所述第二鳍状物的下层区域中的至少一个区域的侧壁表面相邻的层的叠置体。

2.根据权利要求1所述的集成微电子结构，其中：

所述电介质层包括磷掺杂的硅酸盐玻璃(PSG)；

所述杂质是磷；并且

所述鳍状物与PMOS晶体管相关联。

3.根据权利要求1所述的集成微电子结构，其中，所述电介质层与所述栅极电极或栅极电介质的至少其中之一接触。

4.根据权利要求1所述的集成微电子结构，其中：

所述第一区域具有小于20nm的横向宽度；

所述鳍状物具有介于20nm与150nm之间的垂直高度；并且

所述电介质层具有如正交于所述侧壁表面所测量到的介于1nm与5nm之间的厚度。

5.根据权利要求1所述的集成微电子结构，其中，所述电介质层具有大体上共形的厚度。

6.根据权利要求1所述的集成微电子结构，其中，所述隔离材料包括多个电介质层，所述多个电介质层包括氮化硅层，所述氮化硅层与所述电介质层和所述第二电介质层相邻。

7.根据权利要求1所述的集成微电子结构，其中：

所述电介质层包括磷掺杂的硅酸盐玻璃(PSG)；

所述鳍状物与PMOS晶体管相关联；

所述第二电介质层包括硼掺杂的硅酸盐玻璃(BSG)；并且

所述第二鳍状物与NMOS晶体管相关联。

8.根据权利要求1所述的集成微电子结构，其中，所述层的叠置体还包括位于所述电介质层与所述第二电介质层之间的氮化硅层。

9.根据权利要求1所述的集成微电子结构，其中，所述第二区域包括浓度在10e17cm-3与10e19cm-3之间的所述杂质。

10.根据权利要求9所述的集成微电子结构，其中，所述下层区域包括浓度在10e17cm-3与10e19cm-3之间的所述第二杂质。

11.根据权利要求1所述的集成微电子结构，其中，包括所述杂质的所述电介质层在与第二区域的所述侧壁表面相交的衬底表面之上延伸，位于所述衬底表面之上的所述电介质层将所述隔离材料与所述衬底表面分隔开。