[发明专利]电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法

权利要求书

1.电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一：将菱镁矿石作为电熔氧化镁的原料在破碎机中破碎，制成0mm～10mm块料备用；

步骤二：将单质硅在破碎机中破碎，制成3mm～6mm之间的小块；

步骤三：称取步骤二的小块单质硅，备用；

步骤四：生产前预先准备圆筒，把圆筒搁置在一台轨道车上，圆筒底部放置电熔镁废料，防止在高温下把底部烧穿而报废，按照熔炼电熔氧化镁的工艺进行操作，电熔氧化镁的原料采用步骤一的菱镁矿石；

步骤五：在步骤四熔炼电熔氧化镁过程中，把步骤三的小块单质硅在保持熔炼温度

2800℃高温下分4批，间隔时间为2小时，均匀的覆盖在步骤四中菱镁矿石上；

步骤六：然后在2800℃高温、时间为11小时下，单质硅与菱镁矿石合成球状结晶结构；

步骤七：然后在常温下冷却7天，温度降至100℃～200℃之间，于第8天撤出圆筒，露出圆柱形的料体并且将其外表铲除无用的没有完全电熔的物料，人工将其破碎，再挑选出氧化镁含量达到98％以上的电熔的“氧化镁—硅”的块料，即为球形晶型结构的电熔氧化镁。

2.根据权利要求1所述的电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，其特征在于，步骤一中，电熔氧化镁的原料选用氧化镁含量≥46wt％的菱镁矿石。

3.根据权利要求1所述的电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，其特征在于，步骤一和步骤二中的破碎机均采用鄂式破碎机。

4.根据权利要求1所述的电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，其特征在于，步骤二中，单质硅选用含量在99wt％以上的单质硅。

5.根据权利要求1所述的电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，其特征在于，步骤四中，圆筒采用直径为1.8m、高为2m、铁板厚为6mm的圆筒，圆筒底部放置的废料厚为500mm。

6.根据权利要求1所述的电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，其特征在于，菱镁矿石与单质硅重量比成份为：菱镁矿石选用20吨时，称取单质硅30kg～80kg；

此时，步骤五中，小块单质硅分4批，每批7.5kg～20kg用量。

7.根据权利要求6所述的电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，其特征在于，菱镁矿石选用20吨时，称取单质硅30kg、55kg或80kg。