[发明专利]电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法

说明书

本发明涉及电熔氧化镁技术领域，具体涉及一种电熔氧化镁的生产方法。电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，包括如下步骤：将菱镁矿石在破碎机中破碎制成0mm～10mm块料。将单质硅在破碎机中破碎。称取单质硅备用。预备圆筒，按照熔炼电熔氧化镁的工艺进行操作。把小块单质硅分4批，均匀的覆盖在菱镁矿石上。把步骤五在2800℃高温、时间为11小时下，单质硅与中菱镁矿石合成球状结晶结构。撤出圆筒，露出圆柱形的料体，用人工将其破碎，再挑选出氧化镁含量达到98％以上的电熔的“氧化镁—硅”的块料，即为电熔氧化镁。本发明得到的球形晶型结构电熔氧化镁，提高粉碎得率，降低生产成本，改善最终产品用户的生产环境。

技术领域

本发明涉及电熔氧化镁技术领域，具体涉及一种电熔氧化镁的生产方法。

背景技术

目前生产电熔氧化镁晶型结构属于一种无规则的形状，经过锤式粉碎机粉碎后，其形状也是无规则的，直接影响了最终产品的流速、流率和密度，容易使得产品的流速慢、流率慢、密度小等。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，解决以上技术问题。

本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：

电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，包括如下步骤：

步骤一：将菱镁矿石作为电熔氧化镁的原料在破碎机中破碎，制成0mm～10mm块料备用；

步骤二：将单质硅(也称为金属硅)在破碎机中破碎，制成3mm～6mm之间的小块；

步骤三：称取步骤二的小块单质硅，备用；

步骤四：生产前预先准备圆筒，把圆筒搁置在一台轨道车上，圆筒底部放置电熔镁废料，防止在高温下把底部烧穿而报废，按照熔炼电熔氧化镁的工艺进行操作，电熔氧化镁的原料采用步骤一的菱镁矿石；

步骤五：在步骤四熔炼电熔氧化镁的过程中，把步骤三的小块单质硅在保持熔炼温度2800℃高温下分4批，间隔时间为2小时，均匀的覆盖在步骤四中菱镁矿石上；

步骤六：把步骤五在2800℃高温、时间为11小时下，单质硅与菱镁矿石合成球状结晶结构；

步骤七：将步骤六在常温下冷却7天，温度降至100℃～200℃之间，于第8天撤出圆筒，露出圆柱形的料体并且将其外表铲除无用的没有完全电熔的物料，人工将其破碎，再挑选出氧化镁含量达到98％以上的电熔的“氧化镁—硅”的块料，即为本发明制备的球形晶型结构的电熔氧化镁。

本发明在熔炼电熔氧化镁的原料过程中，通过加入单质硅(也称为金属硅)，使得在熔炼的过程中改变电熔氧化镁无规则的晶型结构，而达到规则最好的球形的晶型结构，通过粉碎后使得产品的流速、流率得到改善，密度在基本无细粉的情况下能达到2.37g/㎝³以上，也就是把425目以上的细粉控制在0.2％以下，提高粉碎得率，降低生产成本，改善最终产品用户的生产环境。

步骤一中，电熔氧化镁的原料选用氧化镁含量≥46％(wt％)的菱镁矿石。

步骤一和步骤二中的破碎机均采用鄂式破碎机。

步骤二中，单质硅选用含量在99％(wt％)以上的单质硅。

步骤四中，圆筒优选采用直径为1.8m、高为2m、铁板厚为6mm的圆筒，圆筒底部放置的废料厚为500mm。

氧化镁含量≥46％(wt％)的菱镁矿石与含量在99％(wt％)以上的单质硅重量比成份为：菱镁矿石选用20吨时，称取单质硅30kg～80kg；

此时，步骤五中，小块单质硅分4批，每批7.5kg～20kg用量。

优选，菱镁矿石选用20吨时，称取单质硅30kg、55kg或80kg。