[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710102487.8 申请日: 2017-02-24
公开(公告)号: CN107204321B 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 日向裕一朗 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 金玉兰;王颖
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

绝缘板;

第1导电部,其设置于所述绝缘板的第1面上;

半导体元件,其搭载于所述第1导电部上;以及

模塑材料,其封装所述绝缘板的所述第1面侧处的所述第1导电部及所述半导体元件,

所述绝缘板的材料与所述模塑材料的贴紧性比所述第1导电部的材料与所述模塑材料的贴紧性高,

所述第1导电部在其一部分设有填充有所述模塑材料的间隙,该间隙位于所述第1导电部与所述绝缘板之间,且填充到所述间隙的所述模塑材料在所述间隙中与所述第1导电部和所述绝缘板双方接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述第1导电部具有:

金属膜,其形成于所述绝缘板的所述第1面上;以及

金属板,其接合于所述金属膜,

所述金属板在面方向上延伸至比所述金属膜靠所述模塑材料内的位置,以便在所述金属板与所述绝缘板之间的至少一部分,具有不设置所述金属膜而填充有所述模塑材料的所述间隙。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述间隙在所述绝缘板的所述第1面上,具有包含从所述第1导电部的边缘部朝向所述间隙的内部开口幅度变大的部位的形状和从所述第1导电部的边缘部朝向所述间隙的内部至少具有一个弯折的形状中的至少一种形状。

4.一种半导体装置,其特征在于,具备:

绝缘板;

第1导电部,其形成于所述绝缘板的第1面;

半导体元件,其搭载于所述第1导电部上;以及

模塑材料,其封装所述绝缘板的所述第1面侧处的所述第1导电部及所述半导体元件,

所述第1导电部具有:

多个凸部,其设置于所述绝缘板侧且在相互分离的不同位置接合于所述绝缘板的所述第1面;以及

间隙,其在相邻的凸部彼此之间的至少一部分,在与所述绝缘板之间供所述模塑材料填充,

填充到所述间隙的所述模塑材料在所述间隙中与所述第1导电部和所述绝缘板双方接触。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,

所述第1导电部具有:

金属膜,其形成于所述绝缘板的所述第1面上;以及

金属板,其接合于所述金属膜,

在所述金属板与所述绝缘板之间的至少一部分,具有不设置所述金属膜而填充有所述模塑材料的所述间隙。

6.一种半导体装置,其特征在于,具备:

绝缘板;

第1导电部,其具有形成于所述绝缘板的第1面的金属膜和接合于所述金属膜的金属板;

半导体元件,其搭载于所述金属板上;以及

模塑材料,其封装所述绝缘板的所述第1面侧处的所述第1导电部及所述半导体元件,

在所述金属板与所述绝缘板之间的至少一部分,具有不设置金属膜而填充有所述模塑材料的间隙,

填充到所述间隙的所述模塑材料在所述间隙中与所述第1导电部和所述绝缘板双方接触。

7.根据权利要求1、4、6的任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述间隙在所述绝缘板的所述第1面上,具有多边形、圆形、椭圆形、从所述第1导电部的边缘部朝向所述间隙的内部至少具有一个弯折或曲线形的形状、从所述第1导电部的边缘部朝向所述间隙的内部开口幅度变大的形状、从所述第1导电部的边缘部朝向所述间隙的内部开口幅度变小的形状、从所述第1导电部的边缘部朝向所述间隙的内部开口幅度变大后变小再变大的形状以及从所述第1导电部的边缘部朝向所述间隙的内部开口幅度变小后变大再变小的形状中的至少一种形状。

8.根据权利要求1、4、6的任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述半导体装置还具备第2导电部,其设置于所述绝缘板的第2面上,

所述第2导电部在其一部分设有填充有所述模塑材料的间隙,该间隙位于所述第2导电部与所述绝缘板之间。

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