[发明专利]非易失性存储器的制造方法及非易失性存储器

权利要求书

1.一种非易失性存储器的制造方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域和定位在所述第一区域的外围处的第二区域；

在所述衬底的第一区域上形成多个堆叠结构；

在所述衬底的第二区域上形成壁结构；

在所述衬底上方形成导电层；

在所述导电层上方形成底部抗反射涂层，其中，所述底部抗反射涂层在所述衬底的第一区域的边缘和中部具有均匀的厚度；

回蚀刻所述底部抗反射涂层和所述导电层，其中，经过回蚀刻的所述导电层在所述衬底的第一区域的边缘和中部具有均匀的厚度；以及

图案化所述导电层，

其中，所述壁结构从器件隔离结构延伸至有源区，并且所述多个堆叠结构位于由所述壁结构围绕的区域中。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在相同的工艺中形成所述壁结构和所述多个堆叠结构。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在所述衬底的第一区域上形成所述多个堆叠结构包括：

在所述衬底上方相继形成第一介电层、第一导电层、第二介电层、第二导电层和覆盖层；以及

图案化所述覆盖层、所述第二导电层、所述第二介电层、所述第一导电层和所述第一介电层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，还包括：在所述堆叠结构的侧壁上形成间隔件。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，回蚀刻所述底部抗反射涂层和所述导电层包括去除所述导电层直到所述导电层的顶面低于堆叠结构的顶面。

6.一种非易失性存储器的制造方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域和定位在所述第一区域的外围处的第二区域；

在所述衬底上方相继形成第一介电层、第一导电层、第二介电层和第二导电层；

图案化所述第二导电层、所述第二介电层、所述第一导电层和所述第一介电层，以在所述衬底的第一区域上形成至少两个堆叠结构并且在所述衬底的第二区域上形成多个壁结构；

在所述衬底上方形成第三导电层；

在所述第三导电层上方形成底部抗反射涂层，其中，所述底部抗反射涂层在所述衬底的第一区域的边缘和中部具有均匀的厚度；

回蚀刻所述底部抗反射涂层和所述第三导电层，其中，经过回蚀刻的所述第三导电层在所述衬底的第一区域的边缘和中部具有均匀的厚度；以及

图案化所述第三导电层以在所述至少两个堆叠结构之间形成擦除栅极并且在所述至少两个堆叠结构外部的侧壁上分别形成两条字线，

其中，所述多个壁结构中的至少一个壁结构从器件隔离结构延伸至有源区，并且所述至少两个堆叠结构位于由所述多个壁结构围绕的区域中。

7.根据权利要求6所述的制造方法，还包括：在所述第二导电层上方形成覆盖层。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，图案化所述第二导电层、所述第二介电层、所述第一导电层和所述第一介电层，以在所述衬底的第一区域上形成所述至少两个堆叠结构并且在所述衬底的第二区域上形成所述壁结构还包括图案化所述覆盖层。

9.根据权利要求6所述的制造方法，还包括：在所述至少两个堆叠结构的侧壁上形成间隔件。

10.根据权利要求6所述的制造方法，其中，回蚀刻所述底部抗反射涂层和所述第三导电层包括去除所述第三导电层直到所述第三导电层的顶面低于所述至少两个堆叠结构的顶面。

11.根据权利要求6所述的制造方法，还包括：在形成所述衬底上方的第三导电层之前，在所述衬底中，于所述至少两个堆叠结构之间形成掺杂区域。

12.根据权利要求11所述的制造方法，还包括：在所述掺杂区域上方形成第三介电层。