[发明专利]配置中的除污及剥除处理腔室有效
| 申请号： | 201710107319.8 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN106847737B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | M·J·萨里纳斯;P·B·路透;A·恩盖耶;J·A·里 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 配置 中的 剥除 处理 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于从基板移除含有卤素的残余物的方法，所述方法包括：
在耦接至工厂界面的负载锁定腔室的第一腔室容积中从基板处理系统的所述工厂界面接收基板；
将所述基板从所述负载锁定腔室的所述第一腔室容积转移到所述基板处理系统的转移室；
使用含有卤素的气体来在一或更多个处理室中蚀刻所述基板，所述一或更多个处理室耦接至所述基板处理系统的所述转移室；
在所述负载锁定腔室的第二腔室容积中从已蚀刻基板移除含有卤素的残余物；及
在移除所述含有卤素的残余物之后，在设置于所述负载锁定腔室的第三腔室容积中的基板支撑组件上冷却已蚀刻基板，其中所述第一腔室容积、所述第二腔室容积、以及所述第三腔室容积彼此流体隔离。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，冷却所述基板包括透过所述转移室而从所述第二腔室容积转移所述基板到所述第三腔室容积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
