[发明专利]配置中的除污及剥除处理腔室

说明书

一种配置中的除污及剥除处理腔室。配置中的除污及剥除处理腔室。本发明的实施例提供了包括两个或更多隔离腔室容积的一种负载锁定腔室，其中一腔室容积被配置来用于处理基板，且另一腔室容积被配置来提供冷却给基板。本发明的一实施例提供了一种负载锁定腔室，该负载锁定腔室具有形成在腔室主体组件中的至少两个隔离腔室容积。该至少两个隔离腔室容积可垂直堆迭。第一腔室容积可用于使用反应物种来处理设置于第一腔室容积中的基板。第二腔室容积可包括冷却基板支撑。

本申请是申请日为“2013年1月18日”、申请号为“201380010918.8”、题为“配置中的除污及剥除处理腔室”的分案申请。

技术领域

本发明的实施例一般是关于用于制造半导体基板上的装置的方法与设备。更具体地，本发明的实施例是关于一种负载锁定腔室，该负载锁定腔室包括了配置来用于处理基板的一腔室容积。

背景技术

超大型集成电路(Ultra-large-scale integrated(ULSI)circuits)可包括超过一百万的电子装置(例如晶体管)，这些电子装置形成于半导体基板上(例如硅(Si)基板)并且共同配合来执行装置内的各种功能。通常，ULSI电路中所用的晶体管是互补金属氧化半导体(Metal-Oxide-semiconductor(CMOS))场效应晶体管。

等离子体蚀刻通常使用于晶体管与其他电子装置的制造中。在用于形成晶体管结构的等离子体蚀刻处理期间，一或更多层膜堆迭(例如多层的硅、多晶硅、二氧化铪(HfO₂)、二氧化硅(SiO₂)、金属材料、等等)通常曝露至包含至少一含有卤素的气体(例如溴化氢(HBr)、氯气(Cl₂)、四氟化碳(CF₄)、等等)的蚀刻剂。此种处理导致含有卤素的残余物生成在所蚀刻部件、蚀刻遮罩、与基板上其他位置的表面上。

当曝露至非真空环境(例如工厂界面或基板储存盒内)及/或在连续处理期间，气体卤素与卤素型反应物(例如溴气(Br₂)、氯气(Cl₂)、氯化氢(HCl)、等等)可能从蚀刻期间所沉积的含有卤素的残余物释放出来。所释放的卤素与卤素基反应物产生粒子污染且导致处理系统与工厂界面内部的腐蚀，以及基板上面金属层的曝露部分的腐蚀。处理系统与工厂界面的清洗以及腐蚀部分的替换是耗时且昂贵的程序。

已经发展出数种处理来移除所蚀刻基板上的含有卤素的残余物。例如，所蚀刻基板可被转移至远端等离子体反应器，以曝露所蚀刻基板至气体混合物，气体混合物将含有卤素的残余物转换成非腐蚀的挥发性化合物，该挥发性化合物可被除去气体且抽出反应器外。但是，此种处理需要专属的处理室以及额外的步骤，导致增加的机台花费、降低的制造产率与产量、导致高的制造成本。

因此，需要有改良的方法与设备，用于从基板移除含有卤素的残余物。

发明内容

本发明的实施例通常提供用于处理基板的设备与方法。具体地，本发明的实施例提供能够处理基板的一种负载锁定腔室，例如通过曝露位于负载锁定腔室内的基板至反应物种(reactive species)。

本发明的一实施例提供一种负载锁定腔室。该负载锁定腔室包括腔室主体组件，腔室主体组件界定了彼此隔离的第一腔室容积与第二腔室容积。第一腔室容积透过两个开口而选择性地可连接至两个环境，这两个开口被配置来用于基板转移，且第二腔室容积选择性地连接至两个环境的至少一者。该负载锁定腔室还包括冷却基板支撑组件，冷却基板支撑组件设置在第一腔室容积中并且被配置来支撑且冷却冷却基板支撑组件上的基板；加热基板支撑组件，加热基板支撑组件设置在第二腔室容积中并且被配置来支撑加热基板支撑组件上的基板；以及气体分配组件，气体分配组件设置在第二腔室容积中并且被配置来提供处理气体到第二腔室容积，以用于处理设置在第二腔室容积中中的基板。