[发明专利]半导体封装件的制造方法及半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：

在支承基板的第一面一侧隔开间隔地配置多个半导体装置；

形成与所述多个半导体装置的各个相连接的布线，并形成将所述多个半导体装置掩埋的绝缘树脂层；以及

在所述多个半导体装置之间的区域中，从所述第一面一侧实施切削加工，形成贯通所述绝缘树脂层并使所述支承基板露出的第一槽部，以及在与所述第一面相反一侧的第二面上形成在与所述第一槽部相对应的位置具有开口部的阻挡剂图案，并从所述第二面一侧对所述开口部实施蚀刻加工，在所述第二面一侧形成第二槽部，由此针对各个所述半导体封装件进行单片化。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述蚀刻加工为湿法蚀刻加工。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述切削加工为利用划片刀切削所述绝缘树脂层及所述支承基板。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，利用所述划片刀切削的步骤包括：

在蚀刻所述第二面之后，在所述支承基板的所述第二面一侧设置支承部件；以及

同时切削所述绝缘树脂层及所述支承基板的一部分。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述支承部件为划片带或划片夹具之中的任一种。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，

利用金属基板形成所述支承基板，

利用有机树脂形成所述绝缘树脂层。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，基于机械处理的所述切削加工和基于化学处理的所述蚀刻加工的顺序是任意的。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述第二槽部的宽度大于所述第一槽部的宽度。

9.一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：

在支承基板的第一面一侧隔开间隔地配置的多个半导体装置之间的区域中，在与所述第一面相反一侧的第二面上形成有底的槽部；

在所述支承基板的第一面一侧隔开间隔地配置多个半导体装置；

形成与所述多个半导体装置的各个相连接的布线，并形成将所述多个半导体装置掩埋的绝缘树脂层；以及

从所述第一面一侧沿着边界，利用基于机械处理的切削来进行单片化。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，形成所述槽部的步骤为利用基于蚀刻的切削或基于划片刀的切削之中的任一种来形成槽部。

11.一种半导体封装件，其特征在于，包括：

支承基板；

至少一个半导体装置，配置于所述支承基板的第一面；以及

绝缘树脂层，以覆盖所述半导体装置的方式配置于所述第一面一侧，并与所述至少一个半导体装置相连接，

所述支承基板的、与所述第一面相反一侧的第二面的端部配置为比所述第一面的端部更靠内侧。