[发明专利]一种TFT像素结构、阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种TFT像素结构，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底一表面的图案化的栅线；

位于所述栅线之上的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层之上图案化的栅极，所述栅极通过第一过孔与掺杂后的半导体层接触连接，其中，所述第一过孔位于所述栅极以外的区域；

位于所述栅极之上的电容介质层；

位于所述电容介质层之上的图案化的金属电极层，所述金属电极层与所述栅极的交叠区域形成存储电容。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：

位于所述基底与所述栅线之间的图案化的半导体层；

位于所述半导体层之上的第二绝缘层。

3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一过孔贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述栅极的材质与所述栅线的材质相同，所述第一绝缘层的材质为非金属硅化物。

5.如权利要求1-4任一项所述的像素结构，其特征在于，还包括：

位于所述金属电极层之上的层间绝缘层；

位于所述层间绝缘层之上的图案化的源漏极，所述源漏极通过第二过孔与所述金属电极层接触连接；

位于所述源漏极之上的平坦化层。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的像素结构。

7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在所述基底一表面形成图案化的栅线；

在所述栅线之上形成第一绝缘层，并对所述第一绝缘层刻蚀形成第一过孔；

在所述第一绝缘层之上形成图案化的栅极，所述栅极通过第一过孔与掺杂后的半导体层接触连接；

在所述栅极之上形成电容介质层；

在所述电容介质层之上形成图案化的金属电极层，所述金属电极层与所述栅极通过交叠区域形成存储电容；

其中，所述第一过孔位于所述栅极以外的区域。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成栅线之前，还包括：

在所述基底之上形成图案化的半导体层；

在所述半导体层之上形成第二绝缘层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成栅线之后，且在形成第一绝缘层之前，还包括：

在所述半导体层的沟道区域形成阻挡层；

对未被阻挡的半导体层进行离子注入，形成掺杂后的半导体层；

剥离所述阻挡层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6所述的阵列基板。