[发明专利]半导体存储装置的制作方法

说明书

本发明公开一种半导体存储装置的制作方法，包括下列步骤：首先，提供半导体基底，半导体基底上定义有存储单元区与周围区。在存储单元区形成多个位线结构。在该周围区形成栅极结构。形成一间隙子层覆盖半导体基底、栅极结构与位线结构。间隙子层部分位于存储单元区且部分位于周围区。对间隙子层进行一第一蚀刻制作工艺，用以将位于存储单元区的间隙子层部分移除。至少部分的间隙子层于第一蚀刻制作工艺之后残留于存储单元区中。在第一蚀刻制作工艺之后，进行一第二蚀刻制作工艺，用以将残留于存储单元区中的间隙子层移除。

技术领域

本发明涉及一种半导体存储装置的制作方法，尤其是涉及一种利用两次蚀刻制作工艺来移除位于半导体存储装置的存储单元区中的间隙子层的制作方法。

背景技术

动态随机存取存储器(dynamic random access memory，以下简称为DRAM)为一种挥发性(volatile)存储器，是许多电子产品中不可或缺的关键元件。DRAM由数目庞大的存储单元(memory cell)聚集形成一阵列区，用来存储数据，而每一存储单元可由一金属氧化半导体(metal oxide semiconductor，以下简称为MOS)晶体管与一电容(capacitor)串联组成。

存储单元的MOS晶体管结构因产品需求或/及存储单元密度等考虑而有许多不同的结构设计，故有时存储单元的MOS晶体管结构会与同一芯片上其他区域的晶体管结构不同，进而造成制作工艺上的复杂度提升。因此，如何有效地整合存储单元的MOS晶体管与其他区域中不同晶体管的制作工艺对于相关业界来说是非常重要的课题。

发明内容

本发明提供了一种半导体存储装置的制作方法，利用两次蚀刻制作工艺来移除位于半导体存储装置的存储单元区中的间隙子层，由此改善使用单一湿式蚀刻制作工艺来移除间隙子层时的蚀刻剂所需用量较多、所需蚀刻时间较长以及侧蚀状况均匀性不佳等问题。

本发明的一实施例提供一种半导体存储装置的制作方法，包括下列步骤。首先，提供一半导体基底。半导体基底上定义有一存储单元区以及一周围区。在存储单元区形成多个位线结构。在周围区形成一栅极结构。形成一间隙子层，间隙子层覆盖半导体基底、栅极结构以及位线结构。间隙子层部分位于存储单元区且部分位于周围区。对间隙子层进行一第一蚀刻制作工艺，用以将位于存储单元区的间隙子层部分移除。至少部分的间隙子层于第一蚀刻制作工艺之后残留于存储单元区中。在第一蚀刻制作工艺之后，进行一第二蚀刻制作工艺，用以将残留于存储单元区中的间隙子层移除。

附图说明

图1至图6为本发明一实施例的半导体存储装置的制作方法示意图，其中

图2为在图1的状况下的位线结构的剖面示意图；

图3为图1之后的状况示意图；

图4为在图3的状况下的位线结构的剖面示意图；

图5为图3之后的状况示意图；

图6为在图5的状况下的位线结构的剖面示意图。

主要元件符号说明

10 半导体基底

11 浅沟槽隔离

12 沟槽隔离

13 主动区

21 字符线介电层

22 字符线

23 字符线盖层

31 绝缘层

32 栅极介电层

41 非金属导电层

41A 第一非金属导电层