[发明专利]一种纳米压印屏蔽玻璃及其制作方法

权利要求书

1.一种纳米压印屏蔽玻璃，其特征在于：包括有机玻璃衬底、形成于有机玻璃衬底上、预先压印有图案沟槽的低粘度单体衬底层以及形成于低粘度单体衬底层上的绝缘层；在所述低粘度单体衬底层外侧四周设置有导电银浆层以及形成于导电银浆层上的导电材料层；在所述低粘度单体衬底层的图案沟槽中设置有与图案形状对应的纳米导电层。

2.如权利要求1所述的一种纳米压印屏蔽玻璃，其特征在于：所述纳米导电层与低粘度单体衬底层的厚度相同。

3.如权利要求1所述的一种纳米压印屏蔽玻璃，其特征在于：所述有机玻璃衬底的厚度范围为0.05-0.1毫米；图案沟槽的厚度范围为3-15微米；绝缘层的厚度范围为0.05-0.1毫米；导电银浆层的厚度范围为0.05-0.1毫米；导电材料层的厚度范围为0.3-1.5毫米。

4.一种纳米压印屏蔽玻璃的制作方法，其特征在于：包括以下步骤，

S1、制作具有图案沟槽的石英玻璃掩膜板；

S2、压印低粘度的单体衬底；预备有机玻璃衬底，并将低粘度的单体溶液处理在有机玻璃衬底上，用步骤S1中制作好的石英玻璃掩膜板缓慢压在该有机玻璃衬底上，使单体溶液均匀填充到石英玻璃掩膜板的空腔中，制备得到单体衬底；

S3、紫外光固化成型；用强度为100-300mw/cm²的紫外光对步骤S2中制得的单体衬底进行紫外光固化，固化时长为1-2分钟，使其成型，然后去除石英玻璃掩膜板；

S4、蚀刻残留层；移除石英玻璃掩膜板后得到的单体衬底沟槽和石英玻璃掩膜板的深度一致，蚀刻处理单体衬底沟槽底部的残留层，得到更深的单体衬底沟槽；

S5：进行图案转移；在单体衬底沟槽中印刷导电物质，形成与单体衬底沟槽图像相匹配的纳米导电层；

S6、在单体衬底外侧周缘印刷一导电银浆层，在导电银浆层上再覆盖一层导电材料层；制备得到该纳米压印屏蔽玻璃。

5.如权利要求4所述的一种纳米压印屏蔽玻璃的制作方法，其特征在于：所述纳米导电层采用高导电率的纳米铜或银制作而成。

6.如权利要求4所述的一种纳米压印屏蔽玻璃的制作方法，其特征在于：所述纳米导电层采用镍、铁或钴 制作而成。

7.如权利要求4所述的一种纳米压印屏蔽玻璃的制作方法，其特征在于：所述导电材料层为导电橡胶。

8.如权利要求4所述的一种纳米压印屏蔽玻璃的制作方法，其特征在于：所述石英玻璃掩膜板包括石英玻璃基板、镀射形成于石英玻璃基板上的金属铬薄膜以及形成于金属铬薄膜上的导电膜；在所述金属铬薄膜上利用光刻工艺得到铬薄膜图案沟槽。