[发明专利]一种光谱可控的CdSe量子点制备方法有效
申请号: | 201710117670.5 | 申请日: | 2017-03-01 |
公开(公告)号: | CN106590665B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 杨希峰;尹兴锐;李南星;张德宝;杨宏;刘玉申;况亚伟;顾利萍;孙苏徽;赵明江 | 申请(专利权)人: | 常熟理工学院 |
主分类号: | C09K11/88 | 分类号: | C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张俊范 |
地址: | 215500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光谱 可控 cdse 量子 制备 方法 | ||
本发明公开了一种光谱可控的CdSe量子点制备方法,包括步骤1:Se前体制备,将硒粉加入三正辛基膦加热至100℃通入氮气保护充分反应后冷却至室温,取无色透明液体;步骤2:取十四烷基磷酸、十八胺、三正辛基氧膦和氧化镉混合,在通氮气的状态下进行加热,达到100℃后抽真空并保持真空状态,再次通入氮气进行加热至330℃维持10分钟后降温至275℃,加入步骤1获得的Se前体并在加入Se前体后的4至80秒内分离取出CdSe量子点。该方法可获得发射波长小于450nm的CdSe量子点。
技术领域
本发明涉及一种CdSe量子点制备方法,特别是一种光谱可控的CdSe量子点制备方法,属于量子点制备技术领域。
背景技术
量子点是一种由II-VI族或III-V族元素组成的纳米颗粒。量子点的粒径一般介于1~10nm之间,由于电子和空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射荧光。目前CdSe量子点的制备中通常采用硒粉作为硒源,三正辛基膦(TOP)作为溶剂制备Se前体,CdO作为镉源,加入有机包覆剂和共溶剂得到Cd前体,混合Se前体和Cd前体加热反应一定时间后获得CdSe量子点。但是制备的CdSe量子点的发射波长覆盖范围为450至650nm,现有的制备方法都无法稳定地获得发射波长小于450nm的CdSe量子点。
发明内容
针对上述现有技术缺陷,本发明的任务在于提供一种光谱可控的CdSe量子点制备方法,获得发射波长小于450nm的CdSe量子点。
技术方案:本发明提供以下技术方案:一种光谱可控的CdSe量子点制备方法,包括步骤1:Se前体制备,将硒粉加入三正辛基膦加热至100℃通入氮气保护充分反应后冷却至室温,取无色透明液体;步骤2:取十四烷基磷酸、十八胺、三正辛基氧膦和氧化镉混合,在通氮气的状态下进行加热,达到100℃后抽真空并保持真空状态,再次通入氮气进行加热至330℃维持10分钟后降温至275℃,加入步骤1获得的Se前体并在加入Se前体后的4至80秒内分离取出CdSe量子点。
优选的,所述硒粉与三正辛基膦比例为456mg︰10ml。
优选的,所述十四烷基磷酸、十八胺、三正辛基氧膦和氧化镉混合质量比为56︰350︰650︰14。
优选的,所述分离取出CdSe量子点是将加入Se前体的溶液中加入丙酮,并等待溶液进一步降温后进行离心处理。
本发明与现有技术相比的优点在于:该方法通过控制加入Se前体后取出CdSe量子点的时间来控制其生长,获得了发射波长小于450nm的CdSe量子点。
具体实施方式
光谱可控的CdSe量子点制备方法包括,
步骤1:称取114mg硒粉和2.5ml三正辛基膦(TOP)放入三口烧瓶,加热至100℃下搅拌进行反应。随后通入氮气和抽真空3次后,持续的通入氮气。当硒粉完全溶解后停止加热,继续通入氮气直至溶液降至室温,取出无色透明液体。
步骤2:将56mg十四烷基磷酸(TDPA)、0.35g十八胺(ODA)、0.65g三正辛基氧膦(TOPO)、14mg氧化镉(CdO)放入三口烧瓶中,密封好烧瓶并将温度计插入。在通氮气的状态下进行加热,达到100℃后溶液呈现为红色浑浊液体开始抽真空30min,此时液体呈褐红色。在抽真空完成以后再次进行通氮气进行加热至330℃。待目标温度达到之后,持续加热10min,在此过程中液体逐渐透明呈橙黄色。待其变为澄清以后停止加热进行降温到275℃,加入之前制备的Se前体,此时的溶液呈现为褐色。在加入Se前体后的4至80秒内不同时间取出溶液加入丙酮进行冷却后离心处理获得CdSe量子点,不同时间取出的CdSe量子点发射波长如下表。
量子点发光波长随着时间的可用线性曲线描述:λ=433.23+0.15883*t,其中波长和时间均取表格中的单位。
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