[发明专利]一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法

权利要求书

1.一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)把P型掺杂的硅片切成方形，在硅片背面溅射铜电极；所述硅片采用厚度为425～475μm，晶向<100>，电阻率为1～10Ω·cm的硅片；

2)将硅片置于电化学腐蚀槽中；所述电化学腐蚀槽是采用腐蚀孔直径为11mm的电化学腐蚀槽；

3)配制电解液；所述电解液由HF和DMF混合而成，所述HF的质量浓度为40％，DMF的质量浓度为99.5％；HF与DMF的体积比为1︰2；

4)分别把硅片的背电极接电源阳极，电解液接电源阴极进行电化学腐蚀和硅纳米带剥离；所述电化学腐蚀和硅纳米带剥离的电化学腐蚀时间为60～100min，电流为10～22mA；所述硅纳米带剥离的时间为30～40min，电流为60～70mA；

5)将步骤4)得到的硅片冲洗，烘干，即得硅纳米带。

2.如权利要求1所述一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述方形采用2cm×2cm的方形。

3.如权利要求1所述一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述铜电极的厚度为300nm。

4.如权利要求1所述一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述电解液采用80mL电解液。

5.如权利要求1所述一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法，其特征在于在步骤5)中，所述冲洗是采用去离子水冲洗；所得硅纳米带的长度为50～100μm，宽度为200～300nm，厚度为10nm。