[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及气体供给系统

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，具有：

通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成晶种层的工序，所述循环包含对所述衬底供给卤系的第一处理气体的工序和对所述衬底供给非卤系的第二处理气体的工序；以及

对所述衬底供给第三处理气体从而在所述晶种层上形成膜的工序，

所述形成晶种层的工序包含在所述循环中在供给所述第二处理气体的工序前与供给所述第一处理气体的工序同时地供给含氢气体。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述形成晶种层的工序进一步具有：

从所述衬底存在的空间排出所述第一处理气体的工序，

且包含同时进行排出所述第一处理气体的工序和供给含氢气体的工序的期间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述形成晶种层的工序包含同时进行供给所述第二处理气体的工序和供给含氢气体的工序的期间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述形成晶种层的工序，进一步具有：

从所述衬底存在的空间排出所述第二处理气体的工序，

且包含同时进行排出所述第二处理气体的工序和供给所述含氢气体的工序的期间。

5.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述形成晶种层的工序，进一步具有：

从所述衬底存在的空间排出所述第二处理气体的工序，

且进一步包含同时进行排出所述第二处理气体的工序和供给含氢气体的工序的期间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述形成晶种层的工序包含：与供给所述第一处理气体的工序同时地供给含氢气体，和同时进行供给所述第二处理气体的工序和供给所述含氢气体的工序的期间。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述形成晶种层的工序，进一步具有：

从所述衬底存在的空间排出所述第一处理气体的工序，和

从所述衬底存在的空间排出所述第二处理气体的工序，

且所述形成晶种层的工序进一步包含：

同时进行排出所述第一处理气体的工序和供给所述含氢气体的工序的期间，和

同时进行排出所述第二处理气体的工序和供给所述含氢气体的工序的期间。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，使与供给所述第一处理气体的工序同时供给的所述含氢气体的供给流量小于与供给所述第二处理气体的工序同时供给的所述含氢气体的供给流量。

9.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，使与供给所述第一处理气体的工序同时供给的所述含氢气体的供给流量大于与供给所述第二处理气体的工序同时供给的所述含氢气体的供给流量。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述形成晶种层的工序包含，在实施了供给含氢气体的工序的状态下，交替进行供给所述第一处理气体的工序、和供给所述第二处理气体的工序的期间。