[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及气体供给系统

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及气体供给系统。其目的在于，提高形成于衬底上的膜的膜品质。通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成晶种层的工序，循环包含对衬底供给卤系的第一处理气体的工序，对衬底供给非卤系的第二处理气体的工序，和对衬底供给含氢气体的工序；以及对衬底供给第三处理气体从而在晶种层上形成膜的工序。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及气体供给系统。

背景技术

作为半导体器件(Device)的制造工序的一个工序，有时使用卤系的处理气体、非卤系的处理气体，在衬底上进行形成包含硅(Si)等规定元素作为主元素的膜的成膜处理(例如，参见专利文献1～3)。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]国际公开第2012/029661号小册子

[专利文献2]日本特开2013-197307号公报

[专利文献3]日本特开2014-067796号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于，提供一种能够提高形成于衬底上的膜的膜品质的技术。

用于解决问题的手段

根据本发明的一个方式，提供一种技术，具有：

通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成晶种层的工序，所述循环包含对所述衬底供给卤系的第一处理气体的工序，对所述衬底供给非卤系的第二处理气体的工序，和对所述衬底供给含氢气体的工序；以及

对所述衬底供给第三处理气体从而在所述晶种层上形成膜的工序。

发明效果

根据本发明，能够提高形成于衬底上的膜的膜品质。

附图说明

[图1]是本发明的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是用纵剖面图来表示处理炉部分的图。

[图2]是本发明的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是用图1的A-A线剖面图来表示处理炉部分的图。

[图3]是本发明的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，是用框图来表示控制器的控制系统的图。

[图4]是表示本发明的一实施方式的成膜顺序的图。

[图5]是表示本发明的一个实施方式的成膜顺序的变形例的图，并且是将成膜顺序的1个循环中的DCS气体、DS气体、H₂气的供给定时截取出的图。

[图6](a)表示形成晶种步骤开始前的晶片表面的剖面结构，(b)表示形成晶种步骤进行中且DCS气体供给后的晶片表面的剖面结构，(c)表示形成晶种步骤进行中且DS气体供给后的晶片表面的剖面结构，(d)表示形成晶种步骤结束后的晶片表面的剖面结构，(e)表示CVD成膜步骤进行中的晶片表面的剖面结构，(f)表示CVD成膜步骤结束后的晶片表面的剖面结构，(g)表示退火步骤结束后的晶片表面的剖面结构。

[图7]是本发明的其他实施方式中优选使用的衬底处理装置的处理炉的概略构成图，是用纵剖面图来表示处理炉部分的图。

[图8]是本发明的其他实施方式中优选使用的衬底处理装置的处理炉的概略构成图，是用纵剖面图来表示处理炉部分的图。

[图9]是表示DRAM的主要部分的剖面结构的图。

[图10]是表示3DNAND的主要部分的剖面结构的图。