[发明专利]一种尖叶盆距兰的组培快繁方法

权利要求书

1.一种尖叶盆距兰的组培快繁方法，所述的方法包括依次进行的类原球茎的诱导步骤、增殖步骤和分化培养步骤；其特征在于，所述的类原球茎的诱导步骤为将外植体的芽点接种到诱导培养基中进行培养，诱导形成类原球茎；

其中，所述的诱导培养基包括：1/2MS、0.1～1.0mg/L玉米素、0.1～0.5mg/L吲哚丁酸、15～30g/L蔗糖、3.5～6.0g/L琼脂、50～100ml/L椰子汁，所述的诱导培养基的pH为5.4～5.8；

其中，所述的增殖培养基包括：MS、0.1～1.0mg/L 6-苄氨基腺嘌呤、0.1～0.5mg/L萘乙酸、15～30g/L蔗糖、3.5～6.0g/L琼脂、0.1～0.3g/L活性炭，所述的增殖培养基的pH为5.4～5.8；

其中，所述的分化培养基包括：1/2MS、1.0～1.5mg/L萘乙酸、15～30g/L蔗糖、3.5～6.0g/L琼脂、0.05～0.1g/L活性炭，所述的分化培养基的pH为5.4～5.8。

2.根据权利要求1所述的尖叶盆距兰的组培快繁方法，其特征在于，所述的增殖步骤为将诱导形成的类原球茎接种到增殖培养基中进行培养。

3.根据权利要求1所述的尖叶盆距兰的组培快繁方法，其特征在于，所述的分化培养步骤为将增殖所得的类原球茎接种到分化培养基中进行培养，分化出试管小苗。

4.根据权利要求3所述的尖叶盆距兰的组培快繁方法，其特征在于，所述的分化步骤之后还包括炼苗和移栽步骤，即将分化所得的试管小苗进行炼苗并移栽至混合基质中，即可得尖叶盆距兰种苗；

其中，所述的混合基质为：体积比为1:1的树皮和兰石。

5.根据权利要求1所述的尖叶盆距兰的组培快繁方法，其特征在于，所述的诱导培养温度为25～28℃，诱导培养时间为90～120天。

6.根据权利要求2所述的尖叶盆距兰的组培快繁方法，其特征在于，所述的增殖步骤的培养条件为：培养时间为20～30天，培养温度为25～28℃，光照强度为1500～2000lx，光照时间为12～14小时/天。

7.根据权利要求3所述的尖叶盆距兰的组培快繁方法，其特征在于，所述的分化步骤的培养条件为：培养温度为25～28℃，光照强度为1500～2000lx，光照时间为12～14小时/天，培养时间为40～60天。

8.根据权利要求4所述的尖叶盆距兰的组培快繁方法，其特征在于，所述的炼苗和移栽步骤的炼苗时间为1～3天。

9.根据权利要求1所述的尖叶盆距兰的组培快繁方法，其特征在于，所述的类原球茎的诱导步骤之前还包括外植体采集步骤。

10.根据权利要求1所述的尖叶盆距兰的组培快繁方法，其特征在于，所述的类原球茎的诱导步骤为：将外植体经清水冲洗、升汞消毒、无菌水漂洗后接种到诱导培养基中培养90～120天即可诱导形成类原球茎。