[发明专利]一种显示基板、显示基板的制作方法以及显示面板在审
申请号: | 201710120773.7 | 申请日: | 2017-03-02 |
公开(公告)号: | CN106816557A | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 庞佳威;徐苗;王磊;邹建华;陶洪 | 申请(专利权)人: | 广州新视界光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 510700 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 制作方法 以及 面板 | ||
技术领域
本发明实施例涉及有机发光显示技术,尤其涉及一种显示基板、显示基板的制作方法以及显示面板。
背景技术
有机发光显示装置具有可自发光无需背光、功耗低以及轻薄等优点,被广泛应用于各种电子产品中。
像素定义层是有机发光显示装置中一个重要的功能层,用于定义出多个子像素区域,避免有机发光层的混色现象。像素定义层远离衬底一侧的表面具备疏水性能够使得有机发光层具有良好的成膜性以及均匀性,现有技术中通过在像素定义层中添加氟离子的方式来使像素定义层具有疏水表面,但是这种方式需要在像素定义层原材料的加工过程中添加氟离子,使得像素定义层材料的加工成本以及加工难度增加,对制备像素定义层的设备以及操作人员的要求提高,进而导致有机发光显示装置的价格昂贵。
发明内容
本发明提供了一种显示基板、显示基板的制作方法以及显示面板,以降低像素定义层表面疏水的显示基板的制备难度以及成本。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法,所述方法包括:
在衬底上依次形成开关器件层和第一电极层;
形成图形化像素定义层以及位于所述图形化像素定义层上的图形化疏水材料层,所述图形化像素定义层定义出多个子像素区域;
依次在所述多个子像素区域内形成有机发光层和第二电极层。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示基板,所述显示基板包括:
衬底;
形成在所述衬底上的开关器件层;
形成在所述开关器件层上的第一电极层;
形成在所述第一电极层上的图形化像素定义层,所述图形化像素定义层限定出多个子像素区域;
形成在所述图形化像素定义层上的图形化疏水材料层;
以及,形成在所述多个子像素区域内的有机发光层和第二电极层。
第三方面,本发明实施例还提供了一种显示面板,所述显示基板包括第二方面所述的显示基板。
本发明实施例提供的技术方案,通过在衬底上依次形成开关器件层和第一电极层,形成图形化像素定义层以及位于图形化像素定义层上的图形化疏水材料层,图形化像素定义层定义出多个子像素区域,依次在多个子像素区域内形成有机发光层和第二电极层,达到了降低像素定义层表面疏水的显示基板的制备难度以及成本的有益效果。
附图说明
为了更加清楚地说明本发明示例性实施例的技术方案,下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然,所介绍的附图只是本发明所要描述的一部分实施例的附图,而不是全部的附图,对于本领域普通技术人员,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图得到其他的附图。
图1为本发明实施例中提供的显示基板的制作方法的流程示意图;
图2为在衬底上依次形成开关器件层和第一电极层后的结构示意图;
图3a为形成图形化像素定义层以及图形化疏水材料层后的结构示意图;
图3b-图3e为形成图形化像素定义层以及图形化疏水材料层的过程示意图;
图4为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是,一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各项操作(或步骤)描述成顺序的处理,但是其中的许多操作可以被并行地、并发地或者同时实施。此外,各项操作的顺序可以被重新安排。当其操作完成时所述处理可以被终止,但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。所述处理可以对应于方法、函数、规程、子例程、子程序等等。
图1为本发明实施例中提供的显示基板的制作方法的流程示意图,如图1所示,该方法可以包括以下:
步骤11、在衬底上依次形成开关器件层和第一电极层。
步骤12、形成图形化像素定义层以及位于所述图形化像素定义层上的图形化疏水材料层,所述图形化像素定义层定义出多个子像素区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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