[发明专利]光掩模布图以及形成精细图案的方法

权利要求书

1.一种形成精细图案的方法，所述方法包括：

在目标层上形成多个第一牺牲图案，所述目标层在基板上；

在所述多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物；

去除所述多个第一牺牲图案；

形成多个第二牺牲图案，所述第二牺牲图案与所述第一间隔物交叉，每个所述第二牺牲图案包括线部分和突出部部分，并且所述突出部部分具有比所述线部分宽的宽度；

在所述多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物；

去除所述多个第二牺牲图案；以及

通过孔区域蚀刻所述目标层以暴露所述基板，所述孔区域由所述第一间隔物和所述第二间隔物限定。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二牺牲图案在第二方向上延伸，所述第二牺牲图案布置在垂直于所述第二方向的第一方向上，所述第一牺牲图案在关于所述第一方向和所述第二方向两者倾斜的第三方向上延伸，所述第一间隔物在所述第三方向上延伸，并且所述第二间隔物在所述第二方向上延伸。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述突出部部分连接到所述线部分的沿所述第二方向的一端。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述孔区域包括：

第一孔区域，由所述线部分的侧壁上的所述第二间隔物和所述第一间隔物限定；以及

第二孔区域，在所述第二牺牲图案的所述突出部部分被去除的空间处由所述突出部部分的侧壁上的所述第二间隔物和所述第一间隔物限定，

其中每个所述第二孔区域具有比每个所述第一孔区域的尺寸大的尺寸。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二牺牲图案包括：

单元牺牲图案；和

虚设牺牲图案，与所述单元牺牲图案中的一个在所述第一方向上相邻地定位。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述虚设牺牲图案和所述单元牺牲图案中的与所述虚设牺牲图案相邻的所述一个之间的间隙比所述单元牺牲图案之间的间隙宽。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述孔区域还包括形成在所述虚设牺牲图案和与所述虚设牺牲图案相邻的所述单元牺牲图案之间的空间中的第三孔区域，每个所述第三孔区域具有比所述第一孔区域大的尺寸。

8.根据权利要求4所述的方法，其中所述孔区域还包括形成在所述突出部部分之间的空间中的第四孔区域，所述第四孔区域具有比所述第二孔区域小的尺寸。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第二牺牲图案的所述侧壁上形成所述第二间隔物包括：

在所述第二牺牲图案的表面上形成第二间隔物层使得所述突出部部分之间的空间被所述第二间隔物填充；以及

部分地去除所述第二间隔物层以在所述第二牺牲图案的所述侧壁上形成所述第二间隔物。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成第一牺牲图案之前，在所述目标层上形成掩模层；以及

将所述孔区域转录到所述掩模层中以形成掩模图案。

11.一种形成精细图案的方法，所述方法包括：

在基板上形成目标层，所述基板具有单元区和虚设区；

通过第一双图案化工艺在所述目标层上形成第一间隔物，所述第一间隔物在第一方向上延伸；

通过第二双图案化工艺形成在第二方向上延伸的第二间隔物，所述第一方向关于所述第二方向倾斜，所述第二间隔物与所述第一间隔物交叉，并且所述第二间隔物之间的间隙在所述虚设区中在所述垂直于所述第二方向的第三方向上交替地增大和减小；以及

通过由所述第一间隔物和所述第二间隔物限定的空间蚀刻所述目标层以形成接触孔，

其中所述第一双图案化工艺包括：

在所述目标层上形成多个第一牺牲图案，所述第一牺牲图案在所述第一方向上延伸；

在所述第一牺牲图案的侧壁上形成所述第一间隔物；以及

去除所述第一牺牲图案，

其中所述第二双图案化工艺包括：

形成多个第二牺牲图案，所述第二牺牲图案与所述第一间隔物交叉，每个所述第二牺牲图案包括线部分和突出部部分，并且所述突出部部分具有比所述线部分宽的宽度；

在所述第二牺牲图案的侧壁上形成所述第二间隔物；以及

去除所述第二牺牲图案。