[发明专利]光掩模布图以及形成精细图案的方法

说明书

技术领域

示例实施方式涉及光掩模布图(photomask layout)、形成精细图案(fine pattern)的方法和/或制造半导体器件的方法。更具体地，示例实施方式涉及用于形成精细孔的光掩模布图、使用该光掩模布图形成精细图案的方法和/或使用该光掩模布图制造半导体器件的方法。

背景技术

光刻工艺可以用于限定诸如布线、插塞和/或接触的元件，用于实现半导体器件的电路等。在光刻工艺中，可以制造其中电路图案被预先地设计的光掩模布图。光致抗蚀剂膜可以使用该光掩模布图而图案化以形成光致抗蚀剂图案。导电层可以使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来图案化以形成电路图案。

随着半导体器件变得高度地集成，目标图案的临界尺寸会减小。因此，会需要改善的曝光设备或精细蚀刻工艺诸如双图案化工艺。双图案化工艺指的是通过提供牺牲结构、在牺牲结构的侧壁上形成间隔物以及去除间隔物之间的牺牲结构来限定图案的图案化。

发明内容

一些示例实施方式提供能够形成具有更高的分辨率的图案的光掩模布图。

一些示例实施方式提供形成具有更高的分辨率和更高的可靠性的精细图案的方法。

一些示例实施方式提供制造具有更高的分辨率和更高的可靠性的半导体器件的方法。

根据示例实施方式，一种形成精细图案的方法包括：在目标层上形成多个第一牺牲图案，该目标层在基板上；在该多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物；去除该多个第一牺牲图案；形成多个第二牺牲图案，第二牺牲图案与第一间隔物交叉，每个第二牺牲图案包括线部分(line portion)和突出部部分(tab portion)，突出部部分具有比线部分宽的宽度；在该多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物；去除该多个第二牺牲图案；以及通过孔区域蚀刻目标层以暴露基板，该孔区域由第一间隔物和第二间隔物限定。

根据示例实施方式，一种形成精细图案的方法包括：在基板上形成目标层，基板具有单元区和虚设区；通过第一双图案化工艺在目标层上形成第一间隔物，第一间隔物在第一方向上延伸；通过第二双图案化工艺形成在第二方向上延伸的第二间隔物，第一方向关于第二方向倾斜，第二间隔物与第一间隔物交叉，并且第二间隔物之间的间隙在虚设区中在垂直于第二方向的第三方向上交替地增大和减小；以及通过由第一间隔物和第二间隔物限定的空间来蚀刻目标层以形成接触孔。

根据示例实施方式，一种形成精细图案的方法包括：在基板上形成隔离层以限定有源图案；在有源图案和隔离层上形成栅结构；在有源图案上形成源/漏区，源/漏区邻近栅结构；在有源图案和隔离层上形成绝缘夹层以覆盖栅结构和源/漏区；在绝缘夹层上形成多个第一牺牲图案；在该多个第一牺牲图案的侧壁上形成第一间隔物；去除该多个第一牺牲图案；形成多个第二牺牲图案，第二牺牲图案与第一间隔物交叉，每个第二牺牲图案包括线部分和突出部部分，突出部部分具有比线部分宽的宽度；在该多个第二牺牲图案的侧壁上形成第二间隔物；去除该多个第二牺牲图案；以及通过孔区域部分地去除绝缘夹层以形成暴露源/漏区的接触孔，该孔区域由第一间隔物和第二间隔物限定。

根据示例实施方式，一种光掩模布图包括：在第一方向上延伸的多个第一图案区域；以及与第一图案区域交叉的多个第二图案区域，第二图案区域在第二方向上延伸，第一方向关于第二方向倾斜，每个第二图案区域包括线区域以及与线区域的一端连接的突出部区域，并且突出部区域具有比线区域大的宽度。

根据示例实施方式，一种形成精细图案的方法包括：在基板上形成目标层，基板具有单元区和虚设区；通过第一双图案化工艺在目标层上形成第一间隔物，第一间隔物在第一方向上延伸；通过第二双图案化工艺形成在第二方向上延伸的第二间隔物，第一方向关于第二方向倾斜，第二间隔物与第一间隔物交叉，并且第二间隔物之间的间隙在虚设区中在垂直于第二方向的第三方向上交替地增大和减小；以及通过由第一间隔物和第二间隔物限定的空间蚀刻目标层以形成接触孔。

附图说明

从以下结合附图的详细描述，示例实施方式将被更清楚地理解。图1至图37描绘了如这里描述的非限制的示例实施方式。

图1A和图1B是示出根据一些示例实施方式的光掩模布图的俯视图；

图2至图21是示出根据示例实施方式的形成精细图案的方法的俯视图和剖视图；

图22至图24是示出根据示例实施方式的形成精细图案的方法的俯视图；

图25和图26是示出根据一些比较示例的形成精细图案的方法的俯视图；以及