[发明专利]阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，

提供一衬底基板；

在所述衬底基板一侧形成多晶硅层；

在所述多晶硅层远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层远离所述多晶硅层的一侧形成第一光阻层；

对所述第一光阻层曝光显影，使得经过曝光显影后的第一光阻层具有用于形成P型薄膜晶体管有源区的第一图形结构和用于形成N型薄膜晶体管有源区的第二图形结构；其中，所述第一图形结构包括用于形成所述P型薄膜晶体管的沟道区的第一区域和用于形成所述P型薄膜晶体管的重掺杂区的第二区域；所述第一区域具有第一厚度，所述第二区域具有第二厚度；所述第二图形结构各处具有第三厚度；所述第一厚度大于所述第三厚度，且所述第三厚度大于所述第二厚度；

对所述第一光阻层、所述第一绝缘层和所述多晶硅层进行刻蚀，使得刻蚀后的多晶硅层具有P型薄膜晶体管有源区以及N型薄膜晶体管有源区；刻蚀后的所述P型薄膜晶体管有源区包括重掺杂区和沟道区；刻蚀后的第一光阻层向所述多晶硅层的正投影与所述P型薄膜晶体管有源区的沟道区重合；刻蚀后的所述第一绝缘层向所述多晶硅层的正投影与所述N型薄膜晶体管有源区以及所述P型薄膜晶体管有源区的沟道区重合；

对所述多晶硅层进行第一离子注入，使得第一离子注入后的多晶硅层包括掺杂的所述P型薄膜晶体管的重掺杂区和掺杂的N型薄膜晶体管的有源区；其中，

所述第二图形结构向所述多晶硅层的正投影与所述N型薄膜晶体管有源区重合，所述第一图形结构的第一区域和第二区域向多晶硅层的正投影分别与所述P型薄膜晶体管有源区的沟道区和重掺杂区重合。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述对所述第一光阻层曝光显影，包括使用预设半色调掩膜版对所述第一光阻层曝光。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述预设半色调掩膜版包括第一部分透光区、第二部分透光区、不透光区以及透光区；

所述第一部分透光区向所述第一光阻层的正投影与所述第二图形结构重合；所述第二部分透光区向所述第一光阻层的正投影与所述第一图形结构的第二区域重合；所述不透光区向所述第一光阻层的正投影与所述第一图形结构的第一区域重合；

所述第一部分透光区的光透过率低于所述第二部分透光区的光透过率。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一部分透光区的光透过率与所述第二部分透光区的光透过率满足如下关系：

1:8<T1:T2<1:2；其中

T1为所述第一部分透光区的光透过率，T2为所述第二部分透光区的光透过率。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述第一离子注入为硼离子注入，所述硼离子注入的工艺参数为：离子能量大于等于8Kev；注入离子单位面积数量大于等于4.5E14/cm²。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述N型薄膜晶体管有源区包括重掺杂区、轻掺杂区、沟道区；

在所述对所述多晶硅层进行第一离子注入之后，所述方法还包括：

在所述第一绝缘层之上形成第二光阻层，并对所述第二光阻层进行曝光显影，使得曝光显影后的第二光阻层覆盖所述N型薄膜晶体管有源区的轻掺杂区、所述N型薄膜晶体管有源区的沟道区以及P型薄膜晶体管的有源区；

对所述多晶硅层进行第二离子注入，以使第二离子注入后的多晶硅层中形成掺杂的所述N型薄膜晶体管有源区的重掺杂区。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

在所述衬底基板一侧形成多晶硅层之前，所述方法还包括：

在所述衬底基板之上形成遮光层，所述遮光层包括多个遮光结构，每一个所述遮光结构向多晶硅层的正投影至少覆盖一个P型薄膜晶体管的沟道区或者至少覆盖一个N型薄膜晶体管的沟道区；

所述多晶硅层形成在所述遮光层远离所述衬底基板的一侧。