[发明专利]阵列基板的制作方法

说明书

本申请公开了阵列基板的制作方法，方法包括在衬底基板一侧形成多晶硅层、第一绝缘层、第一光阻层，曝光显影第一光阻层，曝光显影后的第一光阻层具有用于形成P型薄膜晶体管有源区的第一图形结构和用于形成N型薄膜晶体管有源区的第二图形结构；刻蚀第一光阻层、第一绝缘层和多晶硅层，以使多晶硅层具有P型薄膜晶体管有源区结构以及N型薄膜晶体管有源区结构；对多晶硅层进行第一离子注入以形成掺杂的P型薄膜晶体管的重掺杂区和掺杂的N型薄膜晶体管的有源区。本申请实施例提供的方案，减少了使用掩膜版的次数，可以降低生产成本，提高生产效率。

技术领域

本申请一般涉及显示技术领域，尤其涉及阵列基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术，如LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)显示、OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示、柔性显示等的不断发展，显示面板广泛应用于各行各业中。但是显示面板较高的生产成本仍然成为阻碍其进一步发展的一个因素。

显示面板中通常包括阵列基板，其中，阵列基板的制作过程最为复杂。一般来说，在阵列基板中包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，薄膜晶体管包括栅电极、栅电极绝缘层、有源层、源漏极层等等。在制作薄膜晶体管时，通常利用掩膜版曝光显影，进而刻蚀出每一层需要的图案。在现有技术中，制备CMOS型的阵列基板需要12道MASK。这样使得制备阵列基板的成本和复杂度都很高，同时制作的阵列基板的质量也难以保证。

发明内容

鉴于现有技术存在的上述问题，本发明提供一种阵列基板的制作方法，以解决背景技术中所述的至少部分技术问题。

本申请实施例提供了一种阵列基板的制作方法，上述方法包括提供一衬底基板；在衬底基板一侧形成多晶硅层；在多晶硅层远离衬底基板的一侧形成第一绝缘层；在第一绝缘层远离多晶硅层的一侧形成第一光阻层；对第一光阻层曝光显影，使得经过曝光显影后的第一光阻层具有用于形成P型薄膜晶体管有源区的第一图形结构和用于形成N型薄膜晶体管有源区的第二图形结构；其中，第一图形结构包括用于形成P型薄膜晶体管有源区的沟道区的第一区域和用于形成P型薄膜晶体管有源区的重掺杂区的第二区域；第一区域具有第一厚度，第二区域具有第二厚度；第二图形结构各处具有第三厚度；第一厚度大于第三厚度，且第三厚度大于第二厚度；对第一光阻层、第一绝缘层和多晶硅层进行刻蚀，使得刻蚀后的多晶硅层具有P型薄膜晶体管有源区结构以及N型薄膜晶体管有源区结构；刻蚀后的P型薄膜晶体管有源区包括重掺杂区和沟道区；刻蚀后的第一光阻层向多晶硅层的正投影与P型薄膜晶体管有源区的沟道区重合；刻蚀后的第一绝缘层向多晶硅层的正投影与P型薄膜晶体管有源区的沟道区以及N型薄膜晶体管有源区重合；对多晶硅层进行第一离子注入，使得第一离子注入后的多晶硅层包括掺杂的P型薄膜晶体管的重掺杂区和掺杂的N型薄膜晶体管的有源区；其中，第二图形结构向多晶硅层的正投影与N型薄膜晶体管有源区重合，第一图形结构的第一区域和第二区域向多晶硅层的正投影分别与P型薄膜晶体管有源区的沟道区和重掺杂区重合。

可选的，对第一光阻层曝光显影，包括使用预设半色调掩膜版对第一光阻层曝光。

可选的，预设半色调掩膜版包括第一部分透光区、第二部分透光区、不透光区以及透光区；第一部分透光区向第一光阻层的正投影与第二图形结构重合；第二部分透光区向第一光阻层的正投影与第一图形结构的第二区域重合；不透光区向第一光阻层的正投影与第一图形结构的第一区域重合；第一部分透光区的光透过率小于第二部分透光区的光透过率。

可选的，所述第一部分透光区的光透过率与所述第二部分透光区的光透过率满足如下关系：1:8<T1:T2<1:2；其中T1为所述第一部分透光区的光透过率，T2为所述第二部分透光区的光透过率。

可选的，第一离子注入为硼离子注入，硼离子注入的工艺参数为：离子能量大于等于8Kev；注入离子单位面积数量大于等于4.5E14/cm²。