[发明专利]制造使用可镀覆包封剂的封装体

权利要求书

1.一种封装体(100)，包括：

·第一包封剂(102)，所述第一包封剂(102)被配置使得导电材料(106)可镀覆在其上；

·第二包封剂(104)，所述第二包封剂(104)被配置使得导电材料(106)不可镀覆在其上；以及

·被第一包封剂和第二包封剂中的一个至少部分地包封的再分布层；

其中，第一包封剂的暴露的外侧向侧壁的至少一部分镀覆有导电材料，以提供与再分布层的导电耦接。

2.根据权利要求1所述的封装体(100)，包括至少一个半导体芯片(108)，所述至少一个半导体芯片(108)至少部分地包封在所述第一包封剂(102)内。

3.根据权利要求1或2所述的封装体(100)，包括至少一个天线结构(2000)，所述至少一个天线结构(2000)至少部分地在所述第一包封剂(102)和所述第二包封剂(104)中至少一个之上和/或之内。

4.根据权利要求3所述的封装体(100)，其中，所述至少一个天线结构(2000)至少部分地位于所述封装体(100)的表面处。

5.根据权利要求1至2、4中任一项所述的封装体(100)，其中，所述第一包封剂(102)和所述第二包封剂(104)中的至少一个是模制化合物。

6.根据权利要求5所述的封装体(100)，其中，所述模制化合物在模制基质中具有活化的或去活化的有机金属簇成分。

7.根据权利要求6所述的封装体(100)，其中，所述活化的或去活化的有机金属簇成分是有机金属聚合物簇成分。

8.根据权利要求1至2、4、6至7中任一项所述的封装体(100)，其中，所述第一包封剂(102)的表面中的至少一部分镀覆有导电材料(106)。

9.根据权利要求8所述的封装体(100)，其中，所述第一包封剂(102)的平面壁中的至少一部分镀覆有导电材料(106)的平面层。

10.根据权利要求8所述的封装体(100)，其中，镀覆的导电材料(106)被配置用于以下中的至少一种：

·用于将至少一个半导体芯片(108)与至少一个天线结构(2000)电连接；

·用于提供所述封装体(100)的电磁干扰屏蔽；

·用于将至少一个半导体芯片(108)与至少一个焊接结构(2002)电连接。

11.根据权利要求1至2、4、6至7、9至10中任一项所述的封装体(100)，其中，所述第二包封剂(104)中的至少一部分被配置为垂直地突出至所述第一包封剂(102)中的至少一个垂直延伸的隔离条。

12.根据权利要求11所述的封装体(100)，其中，所述至少一个垂直延伸的隔离条在所述封装体(100)的至少一个拐角部分处形成。

13.一种制造封装体(100)的方法，所述方法包括：

·配置第一包封剂(102)使得导电材料(106)可镀覆在其上；

·配置第二包封剂(104)使得导电材料(106)不可镀覆在其上；

·将导电材料(106)选择性地镀覆在所述第一包封剂(102)的表面上，而不将导电材料(106)镀覆在所述第二包封剂(104)的表面上；

·提供被第一包封剂和第二包封剂中的任何一个至少部分地包封的再分布层；以及

·将第一包封剂的暴露的外侧向侧壁的至少一部分镀覆有导电材料，以提供与再分布层的导电耦接。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述镀覆是非电解式镀覆。