[发明专利]制造使用可镀覆包封剂的封装体

说明书

一种封装体(100)，所述封装体包括第一包封剂(102)和第二包封剂(104)，所述第一包封剂(102)被配置使得导电材料(106)可镀覆在其上，所述第二包封剂(104)被配置使得导电材料(106)不可镀覆在其上。

技术领域

本发明涉及一种封装体、一种制造封装体，特别是半导体封装体的方法、可镀覆包封剂的一种预混物、一种制造可镀覆包封剂的方法、一种包封剂以及一种制造包封剂的方法。

背景技术

封装体可被表示为具有电连接部的包封的电子芯片，所述电连接部从包封剂延伸出来并且安装至外围电子装置，例如安装在印刷电路板上。

封装体成本是对行业非常重要驱动因素。与此相关的是性能、尺寸和可靠性。不同的封装解决方案是多种多样的，并必须满足应用的各种需要。有需要高性能的应用，有其他的可靠性是最优先考虑的应用，但所有都需要可能的最低成本。

发明内容

可能有以简单并可靠的方式制造封装体的需要。

根据一个示例性实施例，提供一种封装体(特别是半导体封装体)，其包括被配置使得导电材料可镀覆在其上的第一包封剂和被配置使得导电材料不可镀覆在其上的第二包封剂(特别地由与第一包封剂不同的另一种材料制成)。

根据另一个示例性实施例，提供一种制造封装体的方法，其中，所述方法包括：形成被配置使得导电材料可镀覆(特别是以非电解式镀覆方式可镀覆)在其上的第一包封剂，形成被配置使得导电材料不可镀覆在其上的第二包封剂，以及将导电材料选择性地镀覆(特别是非电解式镀覆)在第一包封剂的表面上，而不将导电材料镀覆在第二包封剂的表面上。

根据又一个示例性实施例，提供可镀覆包封剂的预混物，其中，所述预混物包括过渡金属、聚合物簇、以及在过渡金属与聚合物簇之间的偶联剂。

根据另一个示例性实施例，提供一种制造可镀覆包封剂的方法，其中，所述方法包括：提供包括过渡金属和聚合物簇的过渡金属-聚合物化合物，去除聚合物簇的表面部分以从而暴露过渡金属，以及活化过渡金属的暴露表面。

根据另一个示例性实施例，提供一种用于包封半导体芯片的包封剂，其中，所述包封剂包括电绝缘包封剂基底材料和可活化镀覆催化剂，所述可活化镀覆催化剂可从包封剂不可用导电材料镀覆的去活化状态转化为包封剂可用导电材料镀覆的活化状态。

根据又一个示例性实施例，提供一种制造包封剂的方法，其中，所述方法包括提供化合物(诸如材料组合物，特别是固体化合物)，所述化合物包括电绝缘包封剂基底材料和在化合物不可用导电材料镀覆的去活化状态下的可活化镀覆催化剂，以及将镀覆催化剂中的至少一部分从去活化状态转化为化合物可用导电材料镀覆的活化状态。

根据又一个示例性实施例，可镀覆第一包封剂和不可镀覆第二包封剂用于包括集成天线的封装体。

根据本发明的一个方面的一个示例性实施例，封装体的第一部分由可镀覆包封剂形成，在其上能够镀覆(特别是非电解式镀覆)导电材料，封装体的另一部分由不可镀覆包封剂形成，在其上不能够镀覆(特别是非电解式镀覆)导电材料。这使得能够实施简单的镀覆工艺，其将选择性地导致导电层仅在可镀覆包封剂的外部表面上，而不在不可镀覆包封剂的外部表面上。因为互连的包封剂的几何形状可单独地限定镀覆区域和非镀覆区域，因此可避免或至少减少繁琐的图案化过程等等。这使得能够简单并快速形成在封装体上的导电表面结构，诸如天线结构和/或用于这种天线结构的导线连接、EMI(电磁干扰)屏蔽结构等等。

根据本发明的另一方面的一个示例性实施例，提供用于可镀覆包封剂的预混物，基于所述预混物，通过简单地暴露并活化形成此预混物中的一部分的过渡金属，可容易地制备可镀覆包封剂。活化过渡金属可涉及将过渡金属转化为比转化之前显著更良好导电的电荷状态，从而使活化的过渡金属能够用作镀覆过程，特别是非电解式镀覆过程的基础。