[发明专利]麦克风及其制作方法有效
申请号: | 201710126748.X | 申请日: | 2017-03-06 |
公开(公告)号: | CN108540910B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 王强 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04;H04R31/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 麦克风 及其 制作方法 | ||
1.一种麦克风的制作方法,包括:
提供前端结构;
在所述前端结构上形成第一背板层;
在所述第一背板层上形成第一间隔层,所述第一间隔层具有第一牺牲部分;
在所述第一间隔层上形成振动膜层;
在所述振动膜层上形成第二间隔层,所述第二间隔层具有第二牺牲部分,所述第二牺牲部分与所述第一牺牲部分相对应;
在所述第二间隔层上形成第二背板层;以及
去除所述第二牺牲部分、第一牺牲部分和所述前端结构位于所述第一牺牲部分正下方的部分以形成基座。
2.如权利要求1所述的麦克风的制作方法,其特征在于,所述前端结构包括衬底,位于所述衬底上的第一介质层及位于所述衬底上被所述第一介质层围绕的第二介质层。
3.如权利要求2所述的麦克风的制作方法,其特征在于,所述第一背板层具有多个第一声孔,所述振动膜层具有多个振动孔,所述第二背板层具有多个第二声孔,所述第一牺牲部分覆盖所述多个第一声孔所在区域。
4.如权利要求3所述的麦克风的制作方法,其特征在于,所述多个第一声孔所在区域位于所述第二介质层上。
5.如权利要求4所述的麦克风的制作方法,其特征在于,在所述第一背板层上形成第一间隔层,所述第一间隔层具有第一牺牲部分的步骤包括:
沉积第一氧化层,所述第一氧化层覆盖所述第一背板层;
在所述第一氧化层中的两侧形成沟槽,所述沟槽位于所述第一介质层上方;
在所述沟槽中形成第一氮化层;
进行平坦化工艺,使得所述第一氧化层和第一氮化层上表面齐平,所述第一氮化层之间的第一氧化层作为所述第一牺牲部分。
6.如权利要求5所述的麦克风的制作方法,其特征在于,在所述第一间隔层上形成振动膜层的步骤包括:
图案化所述第一牺牲部分,形成多个第一凹陷和第二凹陷;
沉积振动膜材料层,覆盖所述第一间隔层的上表面和侧壁,且所述振动膜材料层一端暴露出所述第一背板层,另一端覆盖所述第一背板层和所述前端结构;
在所述振动膜材料层上形成多个振动孔,暴露出所述第一氧化层和第一氮化层,获得所述振动膜层。
7.如权利要求6所述的麦克风的制作方法,其特征在于,所述第一凹陷的深度比第二凹陷的深度深。
8.如权利要求6所述的麦克风的制作方法,其特征在于,所述第一凹陷上宽下窄,所述第二凹陷呈环形,且上下宽度一致。
9.如权利要求8所述的麦克风的制作方法,其特征在于,所述振动膜层对应所述第一凹陷处形成缓冲支柱,所述振动膜层对应所述第二凹陷处形成褶皱。
10.如权利要求5所述的麦克风的制作方法,其特征在于,在所述振动膜层上形成第二间隔层,所述第二间隔层具有第二牺牲部分,所述第二牺牲部分与所述第一牺牲部分相对应的步骤包括:
沉积第二氧化层,所述第二氧化层覆盖所述振动膜层;
刻蚀所述第二氧化层,保留与所述第一牺牲部分相对应的部分,作为第二牺牲部分;
在所述第二牺牲部分两侧沉积第二氮化层;
进行平坦化工艺,使得所述第二牺牲部分和第二氮化层上表面齐平。
11.如权利要求10所述的麦克风的制作方法,其特征在于,在所述第二间隔层上形成第二背板层的步骤包括:
图案化所述第二牺牲部分,形成多个第三凹陷;
沉积第二背板材料层,覆盖所述第二间隔层的上表面和侧壁,并覆盖所述振动膜层,且所述第二背板材料层一端连接所述第一背板层,另一端通过所述振动膜层与所述第一背板层隔离;
在所述第二背板材料层上形成多个第二声孔,暴露出所述第二牺牲部分和第二氮化层,获得所述第二背板层。
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