[发明专利]麦克风及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201710126748.X 申请日: 2017-03-06
公开(公告)号: CN108540910B 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 王强 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;H04R31/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 麦克风 及其 制作方法
【说明书】:

发明揭示了一种麦克风及其制作方法。本发明提供的麦克风的制作方法,包括提供前端结构;在所述前端结构上形成第一背板层;在所述第一背板层上形成第一间隔层,所述第一间隔层具有第一牺牲部分;在所述第一间隔层上形成振动膜层;在所述振动膜层上形成第二间隔层,所述第二间隔层具有第二牺牲部分,所述第二牺牲部分与所述第一牺牲部分相对应;在所述第二间隔层上形成第二背板层;去除所述第二牺牲部分、第一牺牲部分,并形成基座。由此获得的麦克风是双背板结构,增大了放大信号,提高APT性能,能应对各种封装模式;并且双背板结构能够消除间隔层和背板的底切,降低了电化学腐蚀的影响。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种麦克风及其制作方法。

背景技术

麦克风是一种能把声音能量转化为电能的传感器件,电容式微型机电系统(Condenser MEMS)麦克风的原理就是通过声压引起振动模的振动,进而改变电容而引起电压的改变。当今,随着科技的发展与需求的不断增长,人们对Condenser MEMS麦克风的需求量也越来越多,特别是高信噪比的麦克风需求量在高速增长。

一般而言,麦克风的封装根据进气的方式不同有两种模式,底部模式(bottomtype)比顶部模式(top type)有更大的背腔(Back volume),也意味着底部模式的麦克风有着更高的SNR(信噪比),但是底部模式的麦克风气压测试(air pressure test,APT)性能较差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种麦克风及其的制作方法,提高麦克风的性能。

为解决上述技术问题,本发明提供一种麦克风的制作方法,包括:

提供前端结构;

在所述前端结构上形成第一背板层;

在所述第一背板层上形成第一间隔层,所述第一间隔层具有第一牺牲部分;

在所述第一间隔层上形成振动膜层;

在所述振动膜层上形成第二间隔层,所述第二间隔层具有第二牺牲部分,所述第二牺牲部分与所述第一牺牲部分相对应;

在所述第二间隔层上形成第二背板层;以及

去除所述第二牺牲部分、第一牺牲部分和所述前端结构位于所述第一牺牲部分正下方的部分以形成基座。

可选的,对于所述的麦克风的制作方法,所述前端结构包括衬底,位于所述衬底上的第一介质层及位于所述衬底上被所述第一介质层围绕的第二介质层。

可选的,对于所述的麦克风的制作方法,所述第一背板层具有多个第一声孔,所述振动膜层具有多个振动孔,所述第二背板层具有多个第二声孔,所述第一牺牲部分覆盖所述多个第一声孔所在区域。

可选的,对于所述的麦克风的制作方法,所述多个第一声孔所在区域位于所述第二介质层上。

可选的,对于所述的麦克风的制作方法,在所述第一背板层上形成第一间隔层,所述第一间隔层具有第一牺牲部分的步骤包括:

沉积第一氧化层,所述第一氧化层覆盖所述第一背板层;

在所述第一氧化层中的两侧形成沟槽,所述沟槽位于所述第一介质层上方;

在所述沟槽中形成第一氮化层;

进行平坦化工艺,使得所述第一氧化层和第一氮化层上表面齐平,所述第一氮化层之间的第一氧化层作为所述第一牺牲部分。

可选的,对于所述的麦克风的制作方法,在所述第一间隔层上形成振动膜层的步骤包括:

图案化所述第一牺牲部分,形成多个第一凹陷和第二凹陷;

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